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半導體工程
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100年 - 100 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#50230
> 申論題
題組內容
三、
⑵離子布植時發生通道效應（channeling effect）有何不良影響？（5 分）
相關申論題
一、當 P 型半導體與 N 型半導體相接時，會在半導體的接面形成 PN 接面（PN junction）， 假設在平衡狀態下，畫出 PN 接面的⑴能帶圖，⑵空乏區中電荷分布圖，⑶空乏區 中電場分布圖，⑷空乏區中電子電位分布圖。（20 分）
#178003
⑴（100）和（111）矽晶圓之熱氧化速率何者較快？為何？（5 分）
#178004
⑵若兩種矽晶圓用於製作 MOSFET 何者氧化層與矽晶圓之界面狀態密度較低？為 何？（5 分）
#178005
⑴離子布植（ion implantation）時，為何植入能量較高的離子行進每單位距離能量 損失較小？（5 分）
#178006
⑶舉出三種減緩通道效應的方法。（5 分）
#178008
四、假設使用熱氧化法在矽晶圓上生長二氧化矽厚度 x，多厚的矽晶圓被消耗掉？矽的 原子重量是 28.9 克/摩爾，矽的密度是 2.33 克/立方公分，二氧化矽的分子重量是 60.08 克/摩爾，二氧化矽的密度是 2.21 克/立方公分。（15 分）
#178009
五、p+-n-p雙載子電晶體（Bipolar Transistor）操作在主動模式時，畫出少數載子分別在 射極、基極、集極的分布曲線。（10 分）
#178010
六、一半導體非均勻摻有n型摻雜質其濃度為ND(x)，在熱平衡狀態下，求在半導體內引 發的電場強度。（15 分）
#178011
七、一功率 10 mW單色光的光子能量 3 eV照射一單晶矽（能隙 1.12 eV），單晶矽的厚 度是 0.25 微米，吸收係數是 4×104 cm-1，求⑴單晶矽每秒吸收的能量？⑵單晶矽每 秒消散的熱能？（15 分）
#178012
五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降，至鰭式場效電晶體（FinFET）時代，如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。（20 分）
#560352
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