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電子學
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96年 - 96 普通考試_電力工程、電子工程:電子學概要#50743
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題組內容
三、圖 2 所示為一增強型 NMOS 電晶體的截面圖。(20 分)
⑶試標示特性曲線中不同區域。
其他申論題
一、試說明 NPN 電晶體之工作原理及功能。(15 分)
#180760
【已刪除】二、試繪圖說明圖 1(a)及(b)基本限制電路的 vo-vI(輸出-輸入)轉換特性曲線。 (20 分)
#180761
⑴試說明其工作原理。
#180762
⑵試繪圖說明 iD-vDS(汲極電流-汲極電壓)的特性曲線。
#180763
【已刪除】四、圖 3 所示為一基本的 BJT 電流鏡,若 BJT 的電流放大倍數為 β,試求 Io 與 IREF 間的 關係。(15 分)
#180765
【已刪除】五、圖 4 所示為一 NMOS 放大器,其臨限電壓(threshold voltage)Vt 為 1V,試求在此 操作點之下,汲極與源極間的等效電阻 rDS 為多少?且求 RD 值。已知此 NMOS 之 Kn’(W/L)= 1mA/V2。(20 分)
#180766
六、試說明 A 類、B 類及 AB 類放大器特點。(10 分)
#180767
一、請分別利用吸光光譜及高效液相層析分析綠茶飲料中的總兒茶素及個別兒茶素含量。 (20 分)
#180768
二、請分析零卡或低熱量碳酸飲料的阿斯巴甜及醋酸內酯鉀含量。(20 分)
#180769
三、請進行花生產品中黃麴毒素(aflatoxin)的定性及定量分析。(20 分)
#180770