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96年 - 96 普通考試_電力工程、電子工程：電子學概要#50743
> 申論題
題組內容
三、圖 2 所示為一增強型 NMOS 電晶體的截面圖。（20 分）
⑵試繪圖說明 i
D
-v
DS
（汲極電流-汲極電壓）的特性曲線。
相關申論題
一、試說明 NPN 電晶體之工作原理及功能。（15 分）
#180760
⑴試說明其工作原理。
#180762
⑶試標示特性曲線中不同區域。
#180764
六、試說明 A 類、B 類及 AB 類放大器特點。（10 分）
#180767
(二) = 5 V ， = 0 V 時， =?
#561019
(一) = 0 V 時， ？
#561018
四、圖四為一個串並（Series-Shunt）回授放大器電路，電路中 npn BJT 電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下 ：β1=β2 = 100 ， = 10 mA/V ， = 10 kΩ ， = ∞ 。 電路中 ， = 20 kΩ ， = 20 kΩ ， R1 = 2 kΩ ， R2= 18 kΩ 。請計算：電壓增益 、輸入電阻 與輸出電阻 。
#561017
(二)零點（Zero）頻率。
#561016
(一)上 3 dB 頻率。
#561015
(二)當= 0.7 V （EB 接面順向偏壓）且= 0.4 V 時，電晶體 Q1 會進入 飽和模式（Saturation Mode） ，若要讓 Q1 保持在主動模式（Active Mode） ， 請問 的最大值為何？
#561014
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