申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：95年 - 95 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#40530
科目：半導體工程
年份：95年
排序：0

四、有一 P+N 接面如圖二所示（E_g 為 1.1ev，ε_s＝11.7ε₀，而 ε₀＝8.854×10^－14 F/cm），試問：

⑶若 n 型區攙雜濃度為 10¹⁷cm^-3，則其空乏區邊緣（at the edge of the depletion region）之少數載子濃度為何（設 n_i＝10¹⁰ cm^-3）？（7 分）