申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：99年 - 99 專利商標審查特種考試_三等_光電工程：半導體元件#46983
科目：半導體元件
年份：99年
排序：0

二、由金屬與n型半導體形成一個理想的蕭基界面，金屬的功函數qΦ_M，半導體的電子親和力qX，能隙為Eg，摻雜濃度為N_D，本質載子濃度為n_i，電洞遷移率µ_p，電子遷移率µ_n，電洞擴散常數 D_p，電洞生命期τ_p：（35 分）

⑷熱平衡下，半導體空乏區寬度為何？