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96年 - 96 專利商標審查特種考試_三等_電子工程、光電工程：半導體元件#50536

科目：半導體元件 | 年份：96年 | 選擇題數：0 | 申論題數：10

試卷資訊

所屬科目：半導體元件

選擇題 (0)

申論題 (10)

一、⑴試繪圖說明 N-MOS 在順向偏壓時的能帶結構圖。
⑵試繪圖說明 D-MOS（Double-Diffused MOS）之結構圖及其應用。 （20 分）
二、⑴若由熱氧化法（Thermal Oxidation）成長二氧化矽（SiO2）之厚度為 100nm， 則矽消耗若干？
⑵試說明傳統的雙極性接面電晶體（BJT）與異質接面雙極性電晶體（HBT）之相 異處。 （20 分）
三、⑴試說明一面心立方晶體（Face-Center Cubic）之原子結構，並算出整個晶體空間 原子所佔的空間比例為多少？
⑵試說明半導體雷射二極體的發光原理。 （20 分）
四、⑴一矽二極體為單一側陡峭接面（One-Side Abrupt Junction），P、N 側之濃度各為 NA ＝1019cm–3 ，ND ＝1016cm–3 。試計算空乏層之厚度及在零偏壓下最大的電場 （矽的εr＝12，室溫下的本質濃度 ni＝1.45×1010/cm3）。
⑵試說明如何以四點探針法（Four-Point Probe）量測半導體特性。 （20 分）
五、⑴試說明如何得到白色光源的固態照明。
⑵試繪圖說明 pnp 電晶體的 I-V 特性曲線圖。 （20 分）