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99年 - 99 專利商標審查特種考試_三等_光電工程：半導體元件#46983

科目：半導體元件 | 年份：99年 | 選擇題數：0 | 申論題數：17

試卷資訊

所屬科目：半導體元件

選擇題 (0)

申論題 (17)

⑴定性地繪出半導體電子遷移率（mobility）對溫度的關係，並且說明高低溫區的主 要散射機制。
⑵摻雜受體（Acceptor）的半導體，在絕對溫度＝0°K 時，其佛米能階（Fermi level） 位置在何？
⑶那二個元件物理參數決定 MOSFET 的開關（Switching）速度？
⑷ pn 二極體在高溫時，功能失效，其原因為何？
⑸請描述歐傑複合（Auger Recombination）機制，並說明其對半導體雷射二極體操 作的影響。
⑴熱平衡（Thermal equilibrium）下，蕭基能障高度（Schottky barrier height）qФB及 半導體的內建電位能qVbi為何？
⑵熱平衡下，半導體接面的電子濃度為何？
⑶熱平衡下，半導體接面的電洞濃度為何？
⑷熱平衡下，半導體空乏區寬度為何？
⑸熱平衡下，半導體接面的電洞漂移電流密度（drift current density）大小及方向為 何？
⑹在順向偏壓下，半導體的少數載子電流密度大小為何？
⑺若更換成具有較大功函數的金屬，此一新的理想蕭基二極體，在順向偏壓下，多 數載子電流與少數載子電流的比值，與原有的蕭基二極體相較，何者較大？原因 何在？
⑴當外加偏壓VG＝？時，電容達到平帶（flat-band）條件。
⑵在高的順向偏壓下（VG > 5 V），試繪出電容的能帶圖（energy band diagram）及 電荷分佈圖（block charge diagram）。
⑶在高的逆向偏壓下，試繪出電容的能帶圖及電荷分佈圖。
⑷試繪出高頻電容電壓圖，並算出圖中的最大與最小電容值。
四、試證明n型非簡併（non-degenerate）半導體電子濃度分佈n(E)的最大值位於導帶最 低能位（Conduction-band minimum）Ec的上方kBT/2。（20 分）