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97年 - 97 高等考試_二級_電子工程：電子元件#49140
> 申論題
⑸電晶體的β= I
C
/I
B
，如何設計電晶體各區域的摻雜濃度和厚度使β≒100。（6 分）
相關申論題
⑴畫出電子位能圖及其受外加電壓影響而改變的情形加以說明。（15 分）
#172517
⑵此效應在蕭特機二極體 I-V 特性上造成的影響為何？（5 分）
#172518
二、⑴畫出一個原型（proto type）npn 電晶體的結構圖並且標明三個端點電流以及射極 電子電流和射極電洞電流的方向。（5 分）
#172519
⑵射極注入效率 γ（emitter injection efficiency）是那兩個電流的比值？（3 分）
#172520
⑶基極傳輸因素αT（base transport factor）的定義為何？（3 分）
#172521
⑷電晶體α定義為IC/IE，假設基極-集極間沒有累增電流放大（avalanche multiplication gain），則α和γ與αT之關係為何？（3 分）
#172522
三、⑴畫出一個 pn 接面被光照射後其 I-V 曲線（包含順偏和反偏部分）隨入射光強度（light intensity）而改變的情形（需註明強度變化的方向）。（8 分）
#172524
⑵說明此元件操作在第三象限時對應到那種光電元件的應用，並說明圖形上曲線的 變化和該元件的那些規格有關。（6 分）
#172525
⑶說明此元件操作在第四象限時對應到那種光電元件的應用，並說明圖形上曲線的 變化和該元件的那些規格有關。（6 分）
#172526
⑴畫出 n 型半導體內自 t＞0 後的電洞濃度隨位置和時間的變化情形。（5 分）
#172527
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