100年 - 100 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_電氣技術員、電子技術員：電子學#27407

科目：電子學 | 年份：100年 | 選擇題數：40 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：電子學

選擇題 (40)

1.如【圖 1】所示之電路，稽納二極體之崩潰電壓為 9 V，則 V_o為何？

(A) 6 V (B) 8 V (C) 9 V (D)10 V

2.單相二極體橋式全波整流器之輸入電壓為12√ 2sin337t V，則其輸出電壓平均值為何？ (A) 17 V (B) 12 V (C) 10.8 V (D)6.5 V

3.如【圖 3】所示之電路，若V _i= 4 √2sin20 V ，則V_o 之最小值為何？

(A) 1 V (B) 0 V (C) -1 V (D)-5.7 V

4.若 BJT 偏壓於作用區，基極電流為 0.04 mA 而射極電流為 4 mA，BJT 的a 值為何？ (A) 0.99 (B) 0.98 (C) 0.97 (D)0.96

5. BJT 的集極電流和基極電流分別為 I_C與 I_B，若 I_C＜ BI_B ，則 BJT 工作於用哪一區？ (A)截止區 (B)作用區 (C)飽和區 (D)崩潰區

6.如【圖 6】所示之電路，若電晶體之 β =80，V_{CE (sat)} = 0V 且工作於飽和區，則最小基極電流為何？

(A) 48 µA (B) 55 µA (C) 64 µA (D)75 µA

7.在電路中射極隨耦器的功用為何？ (A)功率轉換 (B)阻抗轉換 (C)電流轉換 (D)電壓轉換

8.有關 BJT 之偏壓電路，下列何者穩定度最低？ (A)固定偏壓電路 (B)自給偏壓電路 (C)分壓偏壓電路 (D)射極回授偏壓電路

9. BJT 放大電路中，哪一種組態電路的電壓增益與電流增益均可大於 1？ (A)共基極組態電路 (B)共集極組態電路 (C)共射極組態電路 (D)共汲極組態電路

10.有關達靈頓電路特性之敘述，下列何者錯誤？ (A)輸入阻抗高 (B)電壓增益略小於 1 (C)電流增益高 (D)輸出阻抗高

11.有一 N 通道 JFET，其 I_DSS =10 mA，V_GS(OFF)= -4 V，若 V_GS = -2 V 則汲極電流 I_D 為何？ (A) 5.2 mA (B) 4.2 mA (C) 3.6 mA (D)2.5 mA

12.若 N 通道空乏型 MOSFET 之夾止電壓 V_GS(P) = -4V，閘極電壓 V_G = -1V，汲極電壓 V_D = 6 V 且源極電壓 V_S = 1 V，則其工作於何種模式？ (A)截止區模式 (B)夾止飽和區模式 (C)歐姆區模式 (D)崩潰模式

13.有關 MOS FET 特性之敘述，下列何者錯誤？ (A)單載子元件 (B)易受靜電影響 (C)汲極電流具正溫度係數 (D)為電場控制元件

14.運算放大器內部為何種耦合方式之多級串聯放大電路？ (A)直接耦合 (B) RC 耦合 (C)變壓器耦合 (D)RL 耦合

15.某運算放大器之共模增益為 10，差模增益為 10⁵，則其共模拒斥比 CMRR 為何？ (A) 60 dB (B) 70 dB (C) 80 dB (D)100 dB

16.如【圖 16】所示之理想運算放大器電路，若 v_i = -1V ，則 v_o 為何？

(A) 5.5 V (B) -3.5 V (C) -8 V (D)-12 V

17.如【圖 17】所示之理想運算放大器電路，若 v_i= 2V ，則 v_o 為何？

(A) 4 V (B) 2 V (C) -2 V (D)-4 V

18.運算放大器內部主要電路的輸入級為下列何者？ (A)差動放大電路 (B)射極隨耦器 (C)達靈頓放大電路 (D)電流放大電路

19.如【圖 19】所示之電路，運算放大器之開路增益為 120 dB，則發生正飽和的最小 v_i為何？

(A) 100 mV (B) 10 mV (C) 150 µV (D)12 µV

20.弦波振盪電路之閉迴路增益約為何？ (A) √29 (B)√ 3 (C) 1 (D)0

21.決定韋恩電橋振盪器之振盪頻率的網路為下列何者？ (A)負回授網路 (B)正回授網路 (C)負載阻抗 (D)偏壓電路

22.如【圖 22】所示之運算放大器電路，該運算放大器是理想的。此電路的輸入電阻 Ri=VS/IS 為：

(C) R₁+ R₂+ R₃

(D)R₁+ R₂+ R₃∥R₄

23.同 22 題電路，若 R₁=R₂= R₃=R₄，此電路的 V_o /V_s 為：

(A) -1 (B) -2 (C) -3 (D)-4

24.如【圖 24】所示，有一個矽二極體之 i_D 與 v_D 之關係式為：i_D=I_Se

，其中 V_T 為熱電壓，一般取為 25mV。若當 iD=1mA 時，其 v_D=0.7V；則當 i_D=10mA 時，其 v_D 之值為：(取 ln10=2.3)

(A) 0.7V (B) 0.73V (C) 0.76V (D)0.79V

25.如【圖 25】所示之二極體電路，設二極體導通時之電壓 V_D=0.7V，已知 R=2kW，R₁=1kW，R₂=1kW，V₁=3V， V₂=5V，則當 V_S=+10V 時，輸出電壓 Vo約為：

(A) 3.7V (B) 4V (C) 5.8V (D)10V

26.如【圖 26】所示之電路，設齊納(Zener)二極體的 VZ=5V，5mA < iZ < 100mA；當 VS=6.3V，R=10歐姆時，若此電
路要正常運作，iL 的最大電流可為：

27.可推知其跨於基極射極的 rp 值為： (A) 200W (B) 250W (C) 2kW (D)2.5kW

28.續 27 題，並可推知其集極電流 IC值約為：(取熱電壓 VT=25mV) (A) 1mA (B) 2mA (C) 4mA (D)8mA

29.設 V_CC=5V，電晶體導通之 VBE=0.7V，電晶體飽和之 V_CE=0.2V，此電晶體最可能操作在：(A)截止(cut off)模式 (B)主動(active)模式 (C)飽和(saturation)模式 (D)反向主動(reverse active)模式

30.同 29 題電路，若電晶體之β=50，R_c=2kW，R_B=5.5kW，則集極電流 I_C值為： (A) 0.6mA (B) 1.2mA (C) 2mA (D)2.4mA

31.如【圖 31】所示之電流鏡電路，設各電晶體具有相同特性，並均操作於主動模式(active mode)，且不計爾列效應(Early effect)。若 V_CC=5V，R=1kW，假設導通之 V_BE=0.7V 並忽略β，則 I_O 值約為：

(A) 4.3mA (B) 4.8mA (C) 7.8mA (D)8.6mA

32.電晶體之臨界電壓 Vt=1V。若當 I=1mA 時測得 Vo=2V；則若 I 增為 4mA 時，Vo 的值為： (A) 2V (B) 3V (C) 4V (D)5V

33.同 32 題電路，該電晶體操作在： (A)截止(cut off)模式 (B)三極體(triode)模式 (C)飽和(saturation)模式 (D)正好在三極體模式和飽和模式的交界處

34.Q₁ 與 Q₂ 具有相同特性，其臨界電壓(threshold voltage)V_t=0.8V。當此電路操作於共模輸入電壓 V_G1=V_G2=V_CM 時，該 V_CM 的最大值應限定在：

(A) 0.8V (B) 2V (C) 2.8V (D)5V

35.同 34 題電路，此電路之功率耗損 PD 約為： (A) 5mW (B) 10mW (C) 20mW (D)40mW

36.如【圖 36】所示為一簡化的共源(CS)放大器(其偏壓電路略去未繪示)，其中 R_sig 為輸入訊號源的內阻。電阻 R_sig對此 CS 放大器的中頻電壓增益 A_M及對高 3-dB 頻率 f_H 的影響為：

(A)對 A_M 及 f_H 的影響均極大

(B)對 A_M 的影響極大，對 f_H 的影響極小

(C)對 A_M 的影響極小，對 f_H 的影響極大

(D)對 A_M 及 f_H 的影響均極小

37.如【圖 37】所示為一個 MOSFET 及其 4 個極間電容。當此 MOSFET 接成共源(CS)放大器時，對該放大器之高頻響應具有最大影響的極間電容通常是：

(A) C_gs (B) C_gd (C) C_db (D)C_sb

38.一個理想的互導放大器(transconductance amplifier)應具有下列何種特性： (A)極大的輸入電阻與極大的輸出電阻 (B)極大的輸入電阻與極小的輸出電阻 (C)極小的輸入電阻與極大的輸出電阻 (D)極小的輸入電阻與極小的輸出電阻

39.若一個負回授放大器在高頻引起不穩定的振盪，則該回授放大器(含回授網路)的轉換函數至少含有幾個極點頻率？ (A) 1 個 (B) 2 個 (C) 3 個 (D)4 個

40.對負回授放大器施加一頻率補償電容，其作用是使該回授放大器的迴路增益(loop gain)L 在可能的振盪頻率 ω₁₈₀，限定其大小|L|為： (A)恰為 0 (B)小於 1 (C)恰為 1 (D)大於 1

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