阿摩線上測驗 登入

102年 - 102 公務升官等考試_薦任_電力工程、電子工程、電信工程：電子學#43811

科目：電子學 | 年份：102年 | 選擇題數：0 | 申論題數：8

試卷資訊

所屬科目：電子學

選擇題 (0)

申論題 (8)

⑴由特性曲線估算電晶體在 Q 點之小訊號輸出電阻 ro 值，並說明估算方式。（5 分）
⑵由圖一(a)，忽略 ro，繪出此電晶體 ID-VGS 轉換曲線如圖一(b)，先標出 VGS = 0, 0.5, 1, 1.5, …, 3.5 V 時之 ID 值，再以曲線連結。（5 分）
⑶由圖一推導 ID-VGS 關係式，忽略 ro，估算此 NMOS 電晶體在 Q 點之小訊號轉導 （transconductance）gm 值。（10 分）
【已刪除】二、圖二(a)電路中 R = 1 kΩ，C = 0.5 μF，邏輯閘反相器(inverter)之輸入電阻無窮大，圖 二(b)為其輸出與輸入電壓轉換特性，圖二(c)為從 t = –∞開始之週期性信號 vS(t)，求 算反相器之輸出反應延遲之時間。(20 分) 
【已刪除】三、求算圖三之理想運算放大器（operational amplifier）電路之 R1、R2、R3 以及 R4，使輸 出信號為 vo = –2 ×vi1 + 1.6×vi2 + 0.8×vi3 – 0.2×vi4，說明所使用計算式之原理。（20 分） 
【已刪除】四、圖四放大器之電晶體以直流電源 I 偏壓，其他部分偏壓電路業經省略。電路元件與 電晶體小訊號參數：RB = 10 kΩ, RC = 20 kΩ, Rsig = 0.5 kΩ, RL = 10 kΩ, CE = 20 μF, CC1 = CC2 = 2 μF, rπ = 2.5 kΩ, gm = 25 mA/V, ro = 20 kΩ, Cπ = 10 pF, Cμ = 1 pF。求算放 大器之低頻電壓增益 Av(s) = Vo/Vsig 頻率響應，含各極點（pole）頻率以及遠離極點 之中頻增益 AM。（20 分） 
⑴列表並說明圖五(a)數位電路輸出信號 Q（0 或 1）與輸入信號 S、R（0 或 1）之 間的關係。（10 分）
⑵圖五(b)電路之輸入信號 D、CK 如圖五(c)（高、低電位分別代表 1 與 0）所示， 繪出對應的 Q 波形，並說明其原理，無說明者本小題不計分。（10 分） 圖五(a) 圖五(b) 圖五(c)