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103年 - 103 地方政府特種考試_三等_電力工程、電子工程：電子學#42907

科目：電子學 | 年份：103年 | 選擇題數：0 | 申論題數：7

試卷資訊

所屬科目：電子學

選擇題 (0)

申論題 (7)

(一)當 vI = VDD 時，求 vO。此時 QN 與 QP 各處於何種狀態？（截止區、飽和區、三極 管區三者之一）說明理由。（10 分） 
(二)若 vI 為 小題解出的 vO 值時，vO 值為何？此時 QN 與 QP 各處於何種狀態？（10 分） 
【已刪除】二、如下圖所示，電路中兩個運算放大器（Operational Amplifier , OPAMP）均為理想 OPAMP。求輸入阻抗 Z(s)。（20 分）
【已刪除】三、有一個放大器，其開路增益之轉換函數為 
其中 f2 = 100 kHz，f1 可外接電容加以調整。將此電路接成迴授電路使其具有低頻迴 授增益為－100，且有 45° 的相位邊限（phase margin）。求解 f1 值？（20 分）
【已刪除】四、如下圖所示為一考畢子振盪器（Colpitts Oscillator）電路，點線框內為放大器 A 的 等效電路。求振盪頻率以及維持振盪所需的最小 K 值，以 ro，RL，C1，C2，L 表之。 （20 分）
(一)有一個二極體，其電壓電流特性為 I = IS (exp(V/V T ) - 1) ，將此二極體施以順偏壓， 使其電流為 ID。若再加以小信號電流 id，問對應的小信號電壓 vd 應為多少？ 
(二)一個以空乏型 N-MOSFET 作為負載、增強型 N-MOSFET 作為推動電晶體的放大 器。說明負載電晶體的本體效應（Body effect）對放大器增益的影響。