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105年 - 105年司法三等電子學與電路學#55653
科目：
1.電路學 2.電子學 |
年份：
105年 |
選擇題數：
0 |
申論題數：
5
試卷資訊
所屬科目：
1.電路學 2.電子學
選擇題 (0)
申論題 (5)
【已刪除】一、設圖一所示電路中，兩個二極體於VD = −4 kV逆偏壓下之逆向漏電流（reverse leakage current），分別為I
S1
= 20 mA與I
S2
= 25mA，試求R
1
= R
2
= 100 kΩ時之二極體上跨 壓值V
D1
與V
D2
。（20 分）
【已刪除】二、圖二所示電路為具流控相依電壓源（ICVS dependent source）之雙網目電路，請運用 網目分析法求取其中 I
1
與 I
2
電流值。（20 分)
【已刪除】三、圖三所示電路中，NMOS 場效電晶體之V
t
= 2 V， 2 μ
n
C
ox
= 20 μA/V
2
，L = 10 μm 與 W = 400 μm，試求可使 NMOS 場效電晶體操作於I
D
= 0.576 mA及V
D
= +1V下之R
s
與RD 電阻值。（通道長度調變效應可予忽略）（20 分）
【已刪除】四、試求圖四所示交流電路中，壓控相依電壓源上之瞬時功率。（20 分）
【已刪除】五、試求圖五所示電路之電壓增益轉移函數H(s)= V
out
(s)/V
in
(s) ，設電路中的運算放大 器皆為理想元件。（20 分）
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