所屬科目：1.電路學 2.電子學
1.下列何者為一般電表所顯示交流電氣量之值？ (A) 瞬時值 (B) 最大值 (C) 平均值 (D) 有效值
2.一個電表用比流器匝比數為 800:5，如掛接在 480 A 的電路上，電表顯示值為何？(A) 2.5 A (B) 3.5 A (C) 3 A (D) 4 A
3.跨於某一元件之電壓 () = 100sin(628)V，且流經之電流 () = 0.8 sin(628 + 90o)A，試問該元件最有可能為何？ (A) 電感 (B) 電阻 (C) 電容 (D) 二極體
4.下列有關平衡三相 Y 接及 ∆ 接電源大小之敘述，何者有誤？ (A) Y 接之線電壓為相電壓之√3倍 (B) Y 接之線電流為相電流之√3倍 (C) ∆ 接之線電壓等於相電壓 (D) ∆ 接之線電流為相電流之√3倍
5.有一用電戶其用電設備及用電時間如下：1000 瓦電熱水器一具，平均每天用電 2 小時，10 瓦 省電燈具 30 只，平均每天用電 10 小時，300 瓦電冰箱一具，平均每天用電 6 小時，求上述用 電設備每月的用電度數？ (A) 196 度 (B) 204 度 (C) 216 度 (D) 244 度
6.同一材質製成的兩條金屬導線，甲導線長 1500 公尺，直徑 4 mm，乙導線長 500 公尺，直徑2 mm，下列何者電阻值最大？ (A)30 oC 之甲導線 (B) 30 oC 之乙導線 (C) 50 oC 之甲導線 (D) 50 oC 之乙導線
7.某負載之功率因數為 0.8 滯後，有效功率為 1200 W，若想提高功率因數至 1.0，需並聯多少虛 功率(VAR)之電容器？ (A) 1200 (B) 1100 (C) 1000 (D) 900
8.某平衡三相 Y 接負載，若每相 4 + j3 歐姆，接於線電壓 220 伏特之三相平衡電源時，下列何者 正確？ (A) 功率因數為 0.6 落後 (B) 總負載功率 7744 瓦特 (C) 相電流 44 安培 (D) 線電流 44 安培
9.一個三相平衡供電系統，其中性點不接地，當有一相發生直接接地時，下列敘述何者正確？ (A) 接地相電壓為零 (B) 非接地相電壓突升 1.732 倍 (C) 中性點電壓不為零 (D) 以上皆是
10.三相平衡電路，電源側△接，其線電壓為 100√3 V，負載側 Y 接，其每相阻抗為 3 + j4，則此 電路之線電流為何？ (A) 20 A (B) 20√3 A (C) 50 A (D) 50√3 A
11.電阻電抗及電容的並聯電路中，若 R=5 kΩ，L=1 H，C=100 μF，其諧振頻率約為多少 Hz？ (A) 200 (B) 100 (C) 16 (D) 10
12.某電池供應 2 A 時，負載端電壓為 2.1 V，供應 3 A 時，負載端電壓為 2 V，則此電池的電動勢 及內阻分別為何？ (A) 2.2 V 及 0.1 Ω (B) 2.3 V 及 0.2 Ω (C) 2.3 V 及 0.1 Ω (D) 2.4 V 及 0.2 Ω
13.如【圖1】所示，齊納(Zener)二極體之崩潰電壓為 6.8 V，此二極體之消耗功率約為多少毫瓦特 (mW)？
(A) 20 (B) 40 (C) 60 (D) 80
14.流過 3 Ω 電阻之電流 I1為多少安培(BT1=60 V)？ (A) 1 (B) 2 (C) 3 (D) 4
15.承第 14 題，流過 24 Ω 電阻之電流 I2為多少安培？ (A)1 (B) 2 (C) 3 (D) 4
16.承第 14 題，流過 9 Ω 電阻之電流 I3為多少安培？ (A) 0 (B) 1 (C) 2 (D) 3
17.跨於某一元件之電壓 () = 100sin(628 + 90o )V，且流經之電流 () = 0.8 sin(628)A，其平均功 率為多少瓦特？ (A) 0 (B) 80 (C) 40 (D) 70
18.有 2 個電阻並聯通電後，R1 消耗功率為 50 W，R2 消耗功率為 100 W，已知 R2 為 50 Ω，則 R1 的值為何？ (A) 50 Ω (B) 100 Ω (C) 150 Ω (D) 200 Ω
19.一單相交流電路同一時間量測到之電壓為 V(t) = 20sin(377t+40°)伏特，電流 i(t)= 10sin(377t+10°) 安培，此電路之功率因數(power factor)為何？ (cos30°= 0.866；sin30°= 0.5) (A) 0.866，落後 (B) 0.866，超前 (C) 0.5，落後 (D) 0.5，超前
20.則此三相負載之消耗平均功率為多少瓦(W)？ (A) 1200 (B) 1800 (C) 2400 (D) 3000
21.承第 20 題，下列敘述何者有誤？ (A) 功因為落後 (B) 相電壓之相位超前相電流相位 (C) 線電流有效值為 10 安培 (D) 相電壓之相位等於線電壓相位
22.如【圖 3】所示之電路，R1、R2、R3 所消耗的功率比值為何？
(A) 1:2:3 (B) 1:4:9 (C) 3:2:1 (D) 6:3:2
23.如【圖 4】所示，當開關 S 置於 a 點且到達穩態，電流 i1為多少安培？(電壓源=100 V)
(A) 0 (B) 2 (C) 3.33 (D) 5
24.如【圖 5】所示含有電容電感及電阻之直流電路，已知電感 L 為 40 mH，電容 C 為 2 μF，且電 路沒有儲能，當開關 S 在接通瞬間，直流電壓源所提供之電流為多少安培？(電壓源=40 V)
(A) 1 (B) 2 (C) 3 (D) 4
25.如【圖 6】所示的電路，最常被用來做下列何者用途？
(A) 對數器 (B) 指數器 (C) 積分器 (D) 微分器
26.如【圖 7】所示，理想運算放大器電路的輸入電壓:V1=1 V，V2=2 V，則輸出電壓為多少伏特？
(A) 1 (B) 2 (C) - 2 (D) - 4
27.下列何者為功率電晶體的集極與外殼通常接在一起的主要目的？ (A) 散熱較佳 (B) 製造方便 (C) 美觀大方 (D) 易於辨認
28.下列何種 FET 在製作時未事先製作通道？ (A) 空乏型 MOSFET (B) 增強型 MOSFET (C) N 通道 JFET (D) P 通道 JFET
29.如【圖 8】所示，該齊納(Zener)二極體之崩潰電壓為 8 V，求 為多少伏特(V)？
(A) 10 (B) 8 (C) 6 (D) 4
30.下列何者不是理想運算(OP)放大器的特性？ (A) 開路增益無窮大 (B) 頻寬無窮大 (C) 輸出阻抗無窮大 (D) 輸入阻抗無窮大
31.下列有關 MOSFET 的敘述，何者有誤？ (A) 閘極與半導體通道是絕緣的 (B) 輸入阻抗非常低 (C) 汲極與源極各自連接較高參雜濃度的材料 (D) 空乏型 MOSFET 的操作與 JFET 類似
32.如【圖 9】所示，為一邏輯閘的內部實現電路，A 與 B 為輸入端 點而 C 為輸出端點，此邏輯閘為何？
(A) AND 閘 (B) OR 閘 (C) NAND 閘 (D) NOR 閘
33.某一差動放大器之差模增益 Ad =20、共模增益 Ac =0.2，其共模拒斥比(CMRR)為多少 dB？ (A) 20 (B) 30 (C) 40 (D) 60
34.共射極電晶體電路中，射極電流為 5 mA，基極電流為 100 μA，則其電流增益為多少？ (A) 50 (B) 51 (C) 41 (D) 49
35.霍爾效應(Hall Effect)最主要是用於決定下列何者？ (A) 決定半導體為 P 型或 N 型 (B) 決定半導體內的電壓大小 (C) 決定半導體的電流大小 (D) 決定半導體內的磁場大小
36.為使一差動放大器之共模拒斥比(CMRR)變大，應如何做調整？ (A) 減少基極電阻 (B) 減少射極電阻 (C) 增加集極電阻 (D) 增加射極電阻
37.若要將 BJT 作為信號放大元件，則應於下列何種模式中進行操作？ (A) 飽和區 (B) 截止區 (C) 順向主動區 (D) 逆向主動區
38.如【圖10】所示，為一個 R-L-C 帶通濾波器，當 R=10 kΩ， L= 0.1 H，中心頻率為 104 rad/s，頻寬為 103 rad/s，求 C 為多 少 uF (微法拉)？
(A) 1 (B) 0.1 (C) 0.01 (D) 0.001
39.由電晶體組成之振盪器，其必要條件為何？ (A) 同時含有電感及電容元件 (B) 具有正回授 (C) 含有負電阻特性之元件 (D) 含有壓電效應之元件
40.若一齊納(Zener)二極體在 25 ℃時之崩潰電壓為 15 V，溫度係數為 0.02 (% /℃)，若崩潰電壓升 為 15.135 V，當時溫度為多少℃？ (A) 70 (B) 60 (C) 45 (D) 35
41.增強型 MOSFET 的結構因素會造成臨界電壓 VT 值的變化，下列何者對其影響最大？ (A) 金屬導電層厚度 (B) 半導體層的厚度 (C) 二氧化矽的厚度 (D) 金屬導電層的材質
42.下列有關 BJT 與 MOSFET 之比較，何者有誤？ (A) 相同直流偏壓電源下，BJT 有較高的互導值(gm) (B) MOSFET 有較大的輸入阻抗 (C) BJT 比 MOSFET 更適合作為開關使用 (D) BJT 有較大的頻寬
43.有一 N 通道空乏型 MOSFET 的汲極飽和電流 IDSS = 8 mA，截止電壓 VGS ( off ) = - 4 V，則 在 VGS = 0 V 的情況下，汲極電流 ID 為何？ (A) 8 mA (B) 10 mA (C)12 mA (D) 16 mA
44.下列有關達靈頓(Darlington)電路之特徵敘述，何者有誤？ (A) 電流增益高 (B) 電壓增益高 (C) 輸出阻抗低 (D) 輸入阻抗高
45.當電網之電源不足時，調度人員執行降壓運轉，可有效降低下列何者之負載功率？ (A) 冷氣機 (B) 馬達 (C) 白熾燈 (D) 以上皆是
46.若電晶體工作於作用區，且其 α = 0.98，基極電流 IB 為 0.05 mA，其射極電流為多少毫安培 (mA)？ (A) 5.2 (B) 3.6 (C) 2.5 (D) 1
47.若跨接於兩平行金屬板間的電壓為 12 V，儲存的電荷量為 600 pC，試求此平板金屬電容器的 電容值為何？ (A) 50 pF (B) 25 pF (C) 600 pF (D) 12 pF
48.某交流電路運作於 100 Hz 之頻率，該電路某一點之電壓與電流間相位差為 18 度，則此相位差 表示於時間上之差為多少毫秒？ (A) 20 (B) 18 (C) 5 (D) 0.5
49.下列有關 RLC 三元件組成之串聯共振電路與並聯共振電路之敘述，何者正確？ (A) 串聯共振阻抗最小 (B) 並聯共振阻抗最小 (C) 串聯共振電流最小 (D) 以上皆非
50.已知一弦波電壓 V = 10 cos (1256 t－53.13°)，其週期為多少 ms？ (A) 4 (B) 5 (C) 10 (D) 15
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(A) 20 (B) 40 (C) 60 (D) 80
(A) 1:2:3 (B) 1:4:9 (C) 3:2:1 (D) 6:3:2
(A) 0 (B) 2 (C) 3.33 (D) 5
(A) 1 (B) 2 (C) 3 (D) 4
(A) 對數器 (B) 指數器 (C) 積分器 (D) 微分器
(A) 1 (B) 2 (C) - 2 (D) - 4
為多少伏特(V)？
(A) 10 (B) 8 (C) 6 (D) 4
(A) AND 閘 (B) OR 閘 (C) NAND 閘 (D) NOR 閘
(A) 1 (B) 0.1 (C) 0.01 (D) 0.001