所屬科目:電子學
⑵依圖一,若 R 1 = 10 kΩ,且 R a = R b = R c,請設計各電阻值使電路輸出電壓為 vO = v1 + 2v2 − 3v3 − 4v4。(10 分)
二、考慮圖二的電路,電晶體參數為 β = 120、VBE(on)= 0.7 V、熱電壓 VT = 26 mV,且 VA = ∞。 請求出中頻帶增益;並請求出 CC 與 CE ,使得與 CE 有關的轉折點頻率(Corner frequency)為 fE = 10 Hz,且與 CC 有關的轉折點頻率(Corner frequency)為 fC = 50 Hz。 (20 分)
三、在圖三的電路中,每一個電晶體參數都是 β = 100、VBE(on)= 0.7 V、熱電壓 VT = 26 mV 且 VA = ∞。請求出整體小訊號電壓增益 Aυ = υo /υs;並請求出輸入電阻 Ris。(20 分)
四、考慮圖四的差動放大器,PMOS 參數為 Kp = 80 μA/V2、λp = 0.02 V -1、VTP = -2 V; NMOS 參數為 Kn = 80 μA/V2、λn = 0.015 V -1、VTN = +2 V。請求出開路差動電壓增益; 並請求出此差動放大器的輸出電阻。(20 分)
⑴以 A、B、C、D、E 為邏輯輸入,試繪出一 CMOS 邏輯閘電路;使得邏輯輸出 。(10 分)
⑵試繪出 pseudo-NMOS 實現互斥 OR 函數。(10 分)