109年 - 一等業餘無線電題庫-無線電系統原理51-100#84541

51. 在半導體晶體結構中增加電洞的雜質原子名稱是什麼？ (A) 絕緣體雜質 (B) N型雜質 (C) 受體雜質 (D) 施體雜質

52. 雙極型電晶體的 α(alpha)是什麼？ (A) 集極電流相對於基極電流的變化 (B) 基極電流相對於集極電流的變化 (C) 集極電流相對於射極電流的變化 (D) 集極電流相對於閘極電流的變化

53. 雙極型電晶體的 β(beta)是什麼？ (A) 電流增益降低到 1 的頻率 (B) 集極電流相對於基極電流的變化 (C) 基極到集極的擊穿電壓 (D) 電晶體的開關速度

54. 下列哪一項表示矽 NPN 接面電晶體是偏置(biased)導通？ (A) 基極對射極(base-to-emitter)電阻大約 6至7 歐姆 (B) 基極對射極(base-to-emitter)電阻大約 0.6 至 0.7 歐姆 (C) 基極對射極(base-to-emitter)電壓大約 6至7 伏特 (D) 基極對射極(base-to-emitter)電壓大約 0.6 至 0.7 伏特

55. 使基極接地的電晶體電流增益已經降低到在 1 千赫時可獲得的增益的 0.7 倍的頻率稱為什麼？ (A) 轉角(corner)頻率 (B) α (alpha)阻滯頻率 (C) β (beta)截止頻率 (D) α (alpha)截止頻率

56. 什麼是空乏型場效電晶體(depletion-mode FET)？ (A) 當沒有施加閘極電壓時，在源極和汲極之間表現出電流流動的場效電晶體 (B) 當沒有施加閘極電壓時，在源極和汲極之間沒有電流流動的場效電晶體 (C) 沒有通道的任何場效電晶體 (D) 電洞是主要載體的任何場效電晶體

57. 在圖 E6-2，N 通道雙閘極金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)的符號是什麼？ (A) 2 (B) 4 (C) 5 (D) 6

58. 在圖 E6-2，P 通道接面場效電晶體的符號是什麼？ (A) 1 (B) 2 (C) 3 (D) 6

59. 為什麼許多金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)在閘極上具有內部連接的稽納二極管(Zener diode)？ (A) 為正確的閘極的反向偏壓提供參考電壓 (B) 保護基板免受過高的電壓 (C) 保持閘極電壓在規格範圍內，防止MOSFET過熱 (D) 減少閘極絕緣被靜電放電或過高電壓擊穿的機會

60. CMOS 是什麼的縮寫？ (A) 共模式振盪系統 (Common Mode Oscillating System) (B) 互補雲母氧化矽 (Complementary Mica-Oxide Silicon) (C) 互補金屬氧化物半導體 (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) (D) 共模有機矽 (Common Mode Organic Silicon)

61. 場效電晶體的閘極直流輸入阻抗與雙極電晶體的直流輸入阻抗的比較？ (A) 它們都是低輸入阻抗 (B) 場效電晶體具有低輸入阻抗，雙極電晶體具有高輸入阻抗 (C) 場效電晶體具有高輸入阻抗，雙極電晶體具有低輸入阻抗 (D) 它們都是高輸入阻抗

62. 哪種半導體材料的最外電子層包含額外電洞？ (A) N型 (B) P型 (C) 超導型 (D) 雙極型

63. 在 N 型半導體材料中的主要的電荷載體是什麼？ (A) 電洞 (B) 自由電子 (C) 自由質子 (D) 自由中子

64. 場效電晶體的三個端子的名稱是什麼？ (A) 閘極1、閘極2、汲極 (B) 射極、基極、集極 (C) 射極、基極1、基極2 (D) 閘極、汲極、源極

65. 稽納(Zener)二極體最有用的特性是什麼？ (A) 在變化電壓的條件下產生恆定電流降 (B) 在變化電流的條件下產生恆定電壓降 (C) 負電阻區 (D) 隨施加電壓變化的內部電容

66. 與普通矽二極體相比，當用作電源整流器時，肖特基(Schottky)二極體的重要特性是什麼？ (A) 更高的逆向擊穿電壓 (B) 控制的逆向崩潰電壓 (C) 增強的載體保留(retention)時間 (D) 較小的順向電壓降

67. 什麼特殊類型的二極體能夠放大和振盪？ (A) 點接觸 (B) 稽納(Zener) (C) 隧道(Tunnel) (D) 接觸面

68. 什麼類型的半導體被設計用作壓控電容器？ (A) 變容(Varactor)二極體 (B) 隧道(Tunnel)二極體 (C) 矽控(silicon-controlled)整流器 (D) 稽納(Zener)二極體

69. PIN 二極體的什麼特性使其可作為 RF 開關或衰減器？ (A) 極高的逆向擊穿電壓 (B) 能夠消散大量的功率 (C) 逆向偏壓時控制其順向電壓降 (D) 大的本質材料區

70. 以下哪一種是熱載體二極體(hot-carrier diode)的常見用途？ (A) 作為FM產生器中的平衡混頻器 (B) 作為自動頻率控制電路中的可變電容 (C) 作為電源中的恆定電壓參考 (D) 作為VHF / UHF混頻器或檢波器

71. 當接面二極體由於過大的電流而失效時，失效機制是什麼？ (A) 逆向電壓過高 (B) 接面溫度過高 (C) 順向電壓不足 (D) 電荷載體耗盡

72. 下列何者係描述某種半導體二極體？ (A) 金屬 - 半導體接面 (B) 電解整流器 (C) CMOS場效 (D) 熱離子發射二極體

73. 點接觸二極體(point contact diodes)的常見用途是什麼？ (A) 作為恆流源 (B) 作為恆壓源 (C) 作為RF檢測器 (D) 作為高壓整流器

74. 在圖 E6-3 中，那一個是發光二極體的符號？ (A) 1 (B) 5 (C) 6 (D) 7

75. 如何利用 PIN 二極體來控制 RF 信號的衰減？ (A) 順向直流偏置電流 (B) 次諧波泵(pump)信號 (C) 逆向電壓大於RF信號 (D) 射頻耦合電容器的電容

76. PIN 二極體常見用途是什麼？ (A) 作為恆流源 (B) 作為恆壓源 (C) 作為RF開關 (D) 作為高壓整流器

77. LED 發光需要什麼類型的偏置？ (A) 逆向偏置 (B) 順向偏置 (C) 零偏置 (D) 感應偏置

78. 比較器的遲滯功能是什麼？ (A) 防止輸入雜訊引起不穩定的輸出信號 (B) 允許比較器用於交流輸入信號 (C) 引起輸出連續改變狀態 (D) 增加靈敏度

79. 當比較器的輸入信號準位超過臨界值(threshold)時會發生什麼？ (A) IC輸入可能損壞 (B) 比較器改變其輸出狀態 (C) 比較器進入鎖定狀態 (D) 反饋迴路變得不穩定

80. 什麼是三態邏輯？ (A) 具有0、1和高阻抗輸出狀態的邏輯 (B) 利用三元數學的邏輯 (C) 低功率邏輯設計工作在3伏特 (D) 由Tri-State Devices製造的專有邏輯

81. 三態邏輯的主要優點是什麼？ (A) 低功耗 (B) 能夠將許多設備輸出連接到共用匯流排 (C) 高速運算 (D) 更高效的算術運算

82. CMOS 邏輯與 TTL 比的優點是什麼？ (A) 差分輸出能力 (B) 較低的失真 (C) 免受靜電放電損壞 (D) 較低的功耗

83. 為什麼 CMOS 數位積體電路對輸入信號或電源的雜訊具有高抗擾性？ (A) 在CMOS電路設計中使用較大的旁路電容器 (B) 輸入交換臨界值(switching threshold) 約為電源電壓的兩倍 (C) 輸入交換臨界值(switching threshold) 約為電源電壓的一半 (D) 輸入信號更強

84. 下列那一項最適切描述上拉或下拉電阻？ (A) 鍵控電路中的電阻器，用於減少按鍵點擊 (B) 連接到正或負電源線的電阻器，用在輸入或輸出為開路時建立電壓 (C) 確保振盪器頻率不會隨著時間推移而變低的電阻器 (D) 連接到運算放大器輸出的電阻器，僅當邏輯輸出為假時才起作用

85. 在圖 E6-5 中，什麼是 NAND gate 的圖例符號？ (A) 1 (B) 2 (C) 3 (D) 4

86. 什麼是可程式邏輯元件（PLD）？ (A) 控制工業設備的元件 (B) 單個積體電路中的邏輯閘和電路的可程式集合 (C) 用於測試數位邏輯積體電路的可程式設備 (D) 用在電路設計期間模擬邏輯功能的演算法

87. 在圖 E6-5 中，NOR gate 的圖例符號是什麼？ (A) 1 (B) 2 (C) 3 (D) 4

88. 在圖 E6-5 中，NOT operation（反向器）的圖例符號是什麼？ (A) 2 (B) 4 (C) 5 (D) 6

89. 什麼是 BiCMOS 邏輯？ (A) 每個封裝具有兩個CMOS電路的邏輯 (B) 基於雙金屬半導體的FET邏輯系列 (C) 基於鉍CMOS的邏輯系列 (D) 使用雙極性和CMOS電晶體的積體電路邏輯系列

90. 以下哪項是 BiCMOS 邏輯的優點？ (A) 其簡單性導致比標準CMOS便宜得多 (B) 它完全免受靜電損傷 (C) 它具有CMOS的高輸入阻抗和雙極性電晶體的低輸出阻抗 (D) 以上皆是

91. 在邏輯電路中使用可程式閘陣列(Programmable Gate Array)（PGA）的主要優點是什麼？ (A) 許多類似的閘(similar gates)比混合不同類型的閘(mixture of gate types)更便宜 (B) 可以在單個積體電路中建立複合邏輯功能 (C) PGA包含其自身的內部電源 (D) 以上皆是

92. 若使用電感指數(AL)是每 100 圈 40 毫亨利的環形鐵粉磁蕊，要得到 5 毫亨利的電感器需要繞幾圈？ (A) 35 圈 (B) 13 圈 (C) 79 圈 (D) 141 圈

93. 甚麼是石英晶體的等效電路？ (A) 動態電容、動態電感和內阻三者串聯，再與一個代表電極和雜散(stray)電容的分流(shunt)電容器並聯 (B) 動態電容、動態電感和內阻與一個代表電極和雜散(stray)電容的電容器全部串聯 (C) 動態電容、動態電感和內阻與一個代表電極和雜散(stray)電容的電容器全部並聯 (D) 動態電感和內阻串聯，再與動態電容及一個代表電極和雜散(stray)電容的電容器並聯

94. 下列何者是壓電效應？ (A) 加上電壓時會使材料產生形變 (B) 加上磁場時會使材料產生形變 (C) 有光照射時會產生電能 (D) 有光照射時導電性會增加

95. 哪種材料常用於可變電感器的棒狀磁蕊？ (A) 聚苯乙烯和聚乙烯 (B) 鐵氧體和銅 (C) 鐵氟龍和塑鋼 (D) 鈷和鋁

96. 電感器使用鐵氧蕊而不是鐵粉蕊的理由是甚麼？ (A) 環形鐵氧蕊通常具有較小的初始導磁率 (B) 環形鐵氧蕊有較佳的溫度穩定性 (C) 環形鐵氧蕊通常用較少的圈數即可產生所需電感量 (D) 環形鐵氧蕊通常較容易使用在表面黏著技術中

97. 什麼磁蕊材料的性質決定了環形電感器的電感量？ (A) 熱阻抗 (B) 電阻 (C) 反應性 (D) 導磁率

98. 針對所用頻率選用正確磁蕊材料的環形磁蕊電感器可用頻率範圍是多少？ (A) 從幾千赫到不高於 30 百萬赫 (B) 從低於 20 赫到 300 百萬赫左右 (C) 從 10 赫左右到不高於 3,000 千赫 (D) 從大約 100 千赫到至少 1,000 吉赫

99. 電感器使用鐵粉蕊而不是鐵氧蕊的理由是甚麼？ (A) 鐵粉蕊通常具有較大的初始導磁率 (B) 鐵粉蕊通常可在較大電流下維持其特性 (C) 鐵粉蕊通常用較少的圈數即可產生所需電感量 (D) 鐵粉蕊通常用較細的線徑即可產生相同的電感量

100. 電晶體高頻(HF)放大器輸入和輸出端常用甚麼元件作為特高頻(VHF)及超高頻(UHF)寄生振盪的抑制器？ (A) 電解電容 (B) 巴特沃斯濾波器 (C) 磁珠 (D) 矽鋼環型磁鐵

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