110年 - 110 國立高雄科技大學_碩士班招生考試_光電工程系：電子學#110411

選擇題 (5)

1.某一種化學元素之原子序為14,其最外層軌道具有多少個電子?(A)1(B)2(C)3 (D)4 (E)5

2.下列電子元件中那一個具有儲存電荷能力?(A)電阻器(B)電感器(C)電容器(D) 開關(E)電品體

3.在二極體內部那一個區域具有内建(build-in)電場?(A)空乏區(depletion region)(B)P 型區(C)N型區(D)全屬電極(E)以上皆非。

4.在電品體放大電路型態中,以下何者具有較大的輸入電阻?(A)共基極組態(common base)(B)共集極組態(common collector)(C)共射極組態(commoncmitter)(D)全部相同 (E)以上皆非。

5.下列有關場效電晶體(feld effecttransistor,FET)的敘述，何者為非?(A)FET的熱穩定性較BJT良好。(B)在N通道JFET的閘極(gate)加上負偏壓，可以制通道寬度。 (C)在P通道增強型MOSFET的閘極施以負電壓,可令其元件導通。(D)N通道空乏型 MOSFET在未加任何偏壓於閘極時,就已存在通道可傳導電子。(E)P通道空乏型MOSFET的基板為P型材質(4分)

申論題 (8)

1. Microelectronics(4 分)

2. Semiconductor(4分)

3. Silicon (4分)

4. Electron-hole pair (4分)

5. Amplifier(4分)

三、圖1為BJT電品體電路，R1=1kΩ,R2=2kΩ,R3=20kΩ，R4=10kΩ,電晶體Q1之共射極順向短路電流增益β_F=100。試計算(A)流入Q1基極的電流及(B)Vo(共 20分)

四、二極體只允許電流由單一方向流過。(A)畫出二極體在順向偏壓(ON state)時的大信號等效電路模型。(B)在圖2中,若二極體D1直流模型之切入電壓(cut-involtage)V_r=0.6V 順向電阻(forward resistance)Rf=50Ωㆍ且R₁=R₂=200Ω，Vs=2+0.02sin(ωt)。試計算Vo。(共20分)

五、圖3為運算放大器之回授(feedback)電路,其放大路之電壓增益(gain)Av=10000。Rl =1kΩ,R2=2kΩ,R3=1kΩ。(A)若V1=1V；V2=2V,試計算Vo。(B)若V1=-2V， V2=0V,重新計算VO。(共20分)

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