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研究所、轉學考(插大)◆電子學
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110年 - 110 國立高雄科技大學_碩士班招生考試_光電工程系:電子學#110411
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試題詳解
試卷:
110年 - 110 國立高雄科技大學_碩士班招生考試_光電工程系:電子學#110411 |
科目:
研究所、轉學考(插大)◆電子學
試卷資訊
試卷名稱:
110年 - 110 國立高雄科技大學_碩士班招生考試_光電工程系:電子學#110411
年份:
110年
科目:
研究所、轉學考(插大)◆電子學
5.下列有關場效電晶體(feld effecttransistor,FET)的敘述,何者為非?
(A)FET的熱穩定性較BJT良好。
(B)在N通道JFET的閘極(gate)加上負偏壓,可以制通道寬度。
(C)在P通道增強型MOSFET的閘極施以負電壓,可令其元件導通。
(D)N通道空乏型 MOSFET在未加任何偏壓於閘極時,就已存在通道可傳導電子。
(E)P通道空乏 型MOSFET的基板為P型材質(4分)
正確答案:
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