5.下列有關場效電晶體(feld effecttransistor,FET)的敘述，何者為非?(A)FET的熱穩定性較BJT良好。(B)在N通道JFET的閘極(gate)加上負偏壓，可以制通道寬度。 (C)在P通道增強型MOSFET的閘極施以負電壓,可令其元件導通。(D)N通道空乏型 MOSFET在未加任何偏壓於閘極時,就已存在通道可傳導電子。(E)P通道空乏型MOSFET的基板為P型材質(4分)