題組內容
三、PN 二 極 體 在 P 區 與 N 區 的 摻 雜 濃 度 分 別 為 
， 已 知 
，常溫下矽之 ni 為
，1 kT/q = 0.0259 V， 介電常數（dielectric constant）為 11.7，
C。 （每小題 10 分，共 20 分）
(二)當加上反偏壓使得空乏區內最大電場達 3 ✕ 105 V/cm 時，二極體出現累 增崩潰（avalanche breakdown），求崩潰電壓 VB 值約為多少？
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三、PN 二 極 體 在 P 區 與 N 區 的 摻 雜 濃 度 分 別 為 ， 已 知 ，常溫下矽之 ni 為，1 kT/q = 0.0259 V， 介電常數（dielectric constant）為 11.7， C。 （每小題 10 分，共 20 分）
(二)當加上反偏壓使得空乏區內最大電場達 3 ✕ 105 V/cm 時，二極體出現累 增崩潰（avalanche breakdown），求崩潰電壓 VB 值約為多少？