題組內容
一、矽半導體於常溫下（300 K）之本質載子濃度（intrinsic carrier concentration） n i 為 
， 均勻摻雜 N A (acceptor) = 
及 ND(donor) =
，已知電洞之位移率（mobility）
= 480 cm2/V-s， 電子之位移率
= 1350 cm2/V-s，
C。 （每小題 10 分，共 20 分）
(二)若減少摻雜為
不變，其電導率變為σ2，求比例σ1/σ2 =？
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一、矽半導體於常溫下（300 K）之本質載子濃度（intrinsic carrier concentration） n i 為 ， 均勻摻雜 N A (acceptor) = 及 ND(donor) =，已知電洞之位移率（mobility） = 480 cm2/V-s， 電子之位移率= 1350 cm2/V-s，C。 （每小題 10 分，共 20 分）
(二)若減少摻雜為不變，其電導率變為σ2，求比例σ1/σ2 =？