115年 - 115 關務特種考試_三等_電機工程（選試英文）：電子學與電路學#138947

一、如圖 1 所示之理想運算放大器（ideal operational amplifier）電路，試求： 等三個轉移函數（transfer functions）之數學表示式。（25 分）

二、如圖 2 所示之雙埠網路（two-port network），已知 VS = 50∠0℃ Vrms、 ZS = 10 Ω、z11 = 40 Ω、z₁₂ = 60Ω、z₂₁ = 80Ω、z₂₂ = 100Ω、Z_L = 5 + j4 Ω， 試求負載 Z_L 的平均吸收功率。（25 分）

三、如圖 3 所示之 pnp 型雙載子接面電晶體（bipolar junction transistor）電路， 已知其共射極電流增益（common-emitter current gain）β = 50、射基接面 電壓 V_EB = 0.7 V、基極電阻器 R_B = 100 kΩ，為使集極電壓為 V_C = 5 V， 試求集極電阻器 R_C 之值與此時的基集接面電壓。若換成一顆β = 150 之 新電晶體，則該新電晶體的基集接面電壓變為多少？新電晶體變成在那 一區工作？（25 分）

四、如圖 4 所示之兩顆 N 型金氧半（metal-oxide-semiconductor, MOS）電晶體 Q₁、Q₂，已知其設計參數均為：臨界電壓 Vt = 1 V、製程互導參數 μ_nC_ox =120 μA/V²、通道長度調變效應 λ = 0、通道長度 L = 1 μm。若設定 I = 120μA、 V₁ = 3.5 V、V₂ = 1.5 V、V_DD = 5 V，試求工作在飽和區之兩電晶體的閘極 寬度，以及電阻值 R 的大小。（25 分）