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112年 - 112 鐵路特種考試_高員三級_電力工程:電子學#114880
科目:
電子學 |
年份:
112年 |
選擇題數:
0 |
申論題數:
10
試卷資訊
所屬科目:
電子學
選擇題 (0)
申論題 (10)
(一)請比較 MOS 共源極(Common source)、共源極含源極退化電阻(Common 、共閘極(Common gate) source with source degeneration resistance)、共汲極(Common drain)四種放大器的優缺點。(10 分)
(二)請畫出一個 CMOS 互補式金氧半場效電晶體的剖面(cross-section) 圖。 (10 分)
(一)請說明理想運算放大器有那些特性。(10 分)
(二)請畫出一個以運算放大器為基礎之單位增益放大器電路,並描述此電路之功能。(10 分)
(一)請畫出一個 CMOS 互補式金氧半場效電晶體反相器(Inverter)電路, 並畫出其輸入輸出電壓轉移特性曲線圖。(10 分)
(二)何謂 MOS 的通道長度調變效應(Channel length modulation effect)及 基底效應(Body effect)?(10 分)
(一)何謂 BJT 雙載子接面電晶體的厄立效應(Early effect)及埃伯斯-莫爾模型(Ebers-Moll model)?(10 分)
(二)請說明使用差動放大器優於單端放大器的原因。(10 分)
(一)請說明負回授在放大器設計時有那些效應。(10 分)
(二)何謂放大器之主極點(dominant pole)補償及極點零點(pole-zero)補償?(10 分)