阿摩線上測驗 登入

112年 - 112 高等考試_三級_電子工程、電信工程：電磁學#115766

科目：電磁學 | 年份：112年 | 選擇題數：0 | 申論題數：9

試卷資訊

所屬科目：電磁學

選擇題 (0)

申論題 (9)

(一)試推導中心處負電荷 Q 與八個正電荷 q 相關之總靜電能U_ 。（10 分）
(二)推導八個正電荷 q 相關之總靜電能U+ 。（10 分）
(三)由正電荷與負電荷之總靜電能 U=U++U_ 觀點，寫出此九個電荷位置成穩定分布之條件式。依據此條件式，推導中心處負電荷 Q 之電荷量。 （5 分）

二、如圖二所示，上下平板均為邊長 a 之正方形導體，上平板有非常小的傾斜角度θ，兩平板左邊之最短距離為 h，假設平板面積夠大使得邊緣效應可以忽略，試求電容 C 之大小。（25 分）64b4e9985dd2c.jpg
(一)計算空腔內未填充任何材料情況下的最低共振頻率。（15 分）

(二)若有一電性材料填滿整個空腔，此電性材料不導電。若測得之最低共振頻率為 3 GHz，求此電性材料之介質常數64b4ea686995c.jpg。（10 分） 
(一)寫出入射平面諧波之電場相量Ei與磁場相量Hi 、反射平面諧波之電場相量Er與磁場相量Hr及穿透平面諧波之電場相量Et與磁場相量Ht的表示式。（15 分）
(二)列出在兩介質交界處之電場及磁場的邊界連續條件。（5 分）
(三)求解上述邊界條件，得出反射係數Γ及穿透係數τ的表示式。（5 分）