113年 - 113 國營臺灣鐵路股份有限公司從業人員甄試_第 10 階-助理技術員-電務、電力_專業科目二：電子學概要#122424

1. 所謂第四代電子計算機，是以何種電子元件為主？ (A)真空管 (B)電晶體 (C)積體電路 (D)超大型積體電路

2. 如圖【1】所示之理想中心抽頭式全波整流電路，AC電源接於110V之市電，若變壓器之電壓規格：一次側為120V，二次側為0-12-24V。電阻R為1kΩ，則輸出電壓之峰值為何？ (A) (B)(C) (D)

3. 在同一材料中，電子移動較電洞 (A)快 (B)慢 (C)一樣 (D)無法比較

4. 矽晶體在常溫時，價帶與傳導帶間之能隙為何值？ (A) 0.67Ev (B) 1.1eV (C) 0.9eV (D) 0.75eV

5. 就二極體1N4001、1N4002、1N4003和1N4004而言，依據其規格特性，下列敘述何項不正確？ (A) 其額定電流皆為1A (B) 1N4001之最大逆向電壓為50V (C) 1N4004之最大逆向電壓為最大 (D) 1N4001之額定電流遠大於1N4004

6. 在本質半導體中加入硼元素，可成為 (A) P型半導體 (B) N型半導體 (C)導體 (D)無任何作用

7. 五價雜質的目的為 (A)增加電洞數目 (B)建立少數載子 (C)增加電子數目 (D)減少半導體的導電性

8. 如圖【2】所示之電路，若BJT之β＝100，＝0.7V，則約為何？
(A) 4.4V (B) 5.5V (C) 6.9V (D) 8.7V

9. NPN型電晶體於主動區工作時，其三接腳(B、C及E)電壓()之大小關係，下列何者正確？ (A) (B)(C) (D)

10. 共射極電晶體電路中，若射極電流為5mA，基極電流為0.1mA，則此電路的電流增益為 (A) 49 (B) 50 (C) 51 (D) 52

11. 一共基極放大電路，若電流增益α＝0.96，輸入電阻為200歐姆，負載電阻為200kΩ，則電路之電壓增益為 (A) 960 (B) 1920 (C) 2880 (D) 3840

12. 如圖【3】所示之電路，＝0.7V，β＝150，＝15V，＝12kΩ ，＝1kΩ，調整＝4.2mA，則此時之值約為何？
(A) 395kΩ (B) 360kΩ (C) 330kΩ (D) 312kΩ

13. 如圖【4】所示電路，為負載，BJT操作於主動區且電壓增益Av＝vo / vi，下列敘述何者正確？
(A) S閉合或斷開時，電壓增益絕對值相同 (B) S斷開時，由集極端看出去的交流負載電阻為 (C) S斷開時，電壓增益絕對值較小 (D) S閉合時，電壓增益絕對值較小

14. 某一個三級串接的放大電路，各級的電壓增益依序為–3、–5與–2，則該放大電路的總電壓增益為 (A) 10 (B) –10 (C) 30 (D) –30

15. 有關串級放大器實驗，下列敘述何者錯誤？ (A)串級放大器可用來達到較大的電流增益需求 (B)達靈頓電路屬於直接耦合串級放大器 (C)以同一放大器串接成串級放大器，其頻寬依串級數的增加而以固定比例下降 (D)串級放大器可用來達到較大的電壓增益需求

16. 下列敘述何者錯誤？ (A)MOSFET電晶體為單極性(Unipolar)電晶體 (B)BJT電晶體為雙極性(Bipolar)電晶體 (C)一般BJT電晶體的基極輸入阻抗比MOSFET電晶體閘極的輸入阻抗小 (D)MOSFET電晶體為一種電流控制元件

17. 如圖【5】所示之電路，若MOSFET之＝2mA，臨界電壓Vt＝2V，則其參數K約為多少mA/V²？
(A) 0.22 (B) 0.31 (C) 0.42 (D) 0.54

18. 如圖【6】所示電路，Q₁是哪一類型的MOSFET？
(A) N通道空乏型 (B) P通道空乏型 (C) N通道增強型 (D) P通道增強型

19. 類比開關(Analog Switch)的功能是控制類比信號通過或不通過。下列哪種半導體元件不適合作為類比開關使用？ (A)P通道金氧半場效電晶體 (B)n通道金氧半場效電晶體 (C)二極體 (D)互補型金氧半場效電晶體

20. 下列有關基本邏輯IC中的TTL與CMOS描述，何者不正確？ (A)74LS00為TTL的IC，4001為CMOS的IC (B)當CMOS的電源電壓()為+5V，且接地電壓()為0V時，其邏輯『0』的低準位輸入電壓()範圍為0V至1.5V (C)當CMOS的電源電壓()為＋5V，且接地電壓()為0V時，其邏輯『1』的高準位輸入電壓()範圍為3.5V至5V (D)CMOS的IC不易受雜訊干擾，所以未用的輸入端可空接，不會影響正常運作