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114年 - 11500 儀表電子 甲級 工作項目 06：電子電路 1-50（2025/11/04 更新）#133280

科目：技檢◆儀表電子-甲級 | 年份：114年 | 選擇題數：50 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：技檢◆儀表電子-甲級

選擇題 (50)

1. 如下圖電路所示，假設理想運算放大器(OP amp)工作於線性區，若Vi=150mV，試求輸出電壓 Vo 值？
(A)–4.60V (B)–5.60V (C)–6.60V (D)–7.60V 。
2. 某濾波器的轉移函數 ，則此濾波器為何？ (A)帶拒濾波器(B)高通濾波器 (C)低通濾波器 (D)帶通濾波器 。
3. 如下圖電路所示，假設圖中之運算放大器 A 為理想運算放大器，則轉移函數 Vo(S)/Vi(S)為何？
(A) (B) (C) (D)。
4. 如下圖電路所示，A 為理想運算放大器，R1=5kΩ，R2=10kΩ，ZD1 及ZD2 分別為 5.1V 及 8.2V 的稽納二極體(Zener diode)，其順向導通之壓降約為 0.7V，如果 V2=0V，V1分別為－6V、+5V 的直流電壓時，則相對應的 Vo最接近下列何者？
(A)＋5.8V、－8.9V (B)–5.8V、＋8.9V (C)＋8.9V、－5.8V (D)＋15V、－15V 。
5. 如下圖電路所示，若電晶體工作於主動(active)區時，VO與 Vi間為何種關係之函數？
(A)自然對數 (B)平方律 (C)立方律 (D)線性 。
6. 如下圖電路所示，A 是理想運算放大器，時間 t=0 時，Vc(t)=0。若 Vi(t)＝－u(t)，u(t)係單位步級函數(unit-step function)，則 Vo 的波形應為下列何者？
(A) (B) (C) (D)。
7. 如下圖電路所示，其頻寬為 1MHz，若 R1=1kΩ，R2=10kΩ，Vi(t)=Vmcos(2π×104 ×t)伏特，試問放大器 A 之頻寬為多少？
(A)10MHz (B)1MHz (C)100kHz (D)90.9kHz 。
8. 如下圖電路所示，放大器 A 的開迴路增益為 1000，RS=RE=1kΩ，電晶體的 hfe=100，VBE可省略，則 IO/Vi=？
(A)0.1mS (B)1mS (C)10mS (D)100mS 。
9. 如下圖電路所示，若 hfe=98，hie=1kΩ，則 Zi=？
(A)10kΩ (B)50kΩ (C)98kΩ (D)100kΩ 。
10. 如下圖電路所示，為一射極隨耦器，其中 Q1之靜態電流為 200mA，靜態輸出電壓 VO=0V，RL=50Ω，試求 Q1之靜態功率消耗為何？
(A)3W (B)5W(C)7W (D)9W 。
11. 如下圖電路所示，若三只電晶體的特性完全相同，且其β＞＞1，VBE亦等於 0.7V，RL=20Ω，則正常工作下 IC2=？
(A)14.6mA (B)21.7mA (C)25.7mA (D)30.6mA 。
12. 如下圖電路所示，若電壓增益 VO/Vi為－4.5，則以密勒定理(Miller'stheorem)求其輸入電阻值約為多少？
(A)950kΩ (B)850kΩ (C)750kΩ (D)650kΩ 。
13. 在雙載體接面電晶體(BJT)電路中，何者是因歐萊效應(Eurly effect)所發生的？ (A)穿透崩潰 (B)累增崩潰 (C)射極寬度變大 (D)IC產生了飽和 。
14. 如下圖電路所示，V0為多少？
(A)14V (B)7V (C)1.4V (D)0.7V 。
15. 何種場效電晶體之閘-源極電壓可在正、零、負電壓間動作？ (A)N 型 JFET(B)P 型 JFET (C)增強型 MOSFET (D)空乏型 MOSFET 。
16. 如下圖電路所示，欲使輸出為線性三角波，則輸入方波 Vi的頻率下列何者較適當？
(A)5kHz (B)2.5kHz (C)500Hz (D)50Hz 。
17. 如下圖電路所示，電晶體的β值是 100，VCC=+12V，在不失真的條件下，最大輸入正弦波峰值電壓為多少伏特？
(A)3V (B)5V (C)7V (D)9V 。
18. 有三級串接之線性放大電路，若各級電壓增益分別為 40、50 及 50，試問其總分貝電壓增益約為若干？ (A)60 (B)80 (C)100 (D)120 。
19. 接面場效電晶體(JFET)用作線性放大器時，汲極對源極之電壓為何種極性？ (A)正電壓 (B)負電壓 (C)零電壓 (D)視 P 或 N 通道而定 。
20. 某放大器輸入信號為 10sin10t┼3sin20t 時，其輸出信號為 20sin10t┼5sin20t，此放大器產生了何種失真？ (A)相位失真 (B)頻率失真 (C)波幅失真(D)諧波失真 。
21. 如下圖電路所示，其輸出電壓 VO＝？
(A)8V (B)10V (C)12V (D)14V 。
22. 某放大器，未加回授時之增益為 100，頻寬為 2MHz，今加一回授因數β＝0.04 之負回授電路，其頻寬變為多少？ (A)400kHz (B)4MHz (C)8MHz (D)10MHz 。
23. 某差動放大器，其共模增益 AC＝0.2，差模增益 Ad＝2000，則 CMRR 為多少 dB？ (A)60 (B)70 (C)80 (D)90 。
24. 有一差動放大器，CMRR=1000，Ad=200，有兩電壓 100μV 和 50μV 輸入，則輸出電壓 Vo為： (A)100μV (B)10mV (C)10.025mV (D)10.015mV 。
25. 如下圖電路所示，輸出端 Vo可表示為何？
(A) (B)(C) (D) 。
26. 如下圖的樞密特觸發電路所示，請問 C 之作用為何？

(A)濾波 (B)讓交流信號通過 (C)加速電容器 (D)平衡兩端電壓 。
27. 若載波功率為 100W，調幅百分比為 75%，則上旁波帶的功率最接近下列何者？ (A)14W (B)25W (C)37W (D)75W 。
28. 如下圖交流等效電路所示，若 hfe=50，hie=1kΩ，則 Zi為多少？
(A)51kΩ(B)52kΩ (C)53kΩ (D)54kΩ 。
29. 如下圖電路所示，IL為多少？
(A)10mA (B)20mA (C)30mA (D)40mA 。
30. 欲使一個 N 通道增強型金氧半場效電晶體(MOSFET)工作在飽和區，其偏壓條件為 (A) (B) (C) (D)。
31. 如下圖電路所示，若  ，加上負回授後之電流增益 ，則此電路加上負回授後之電壓增益約為若干？
(A) (B) (C) (D)。
32. 如下圖電路所示，若 ，則電晶體在飽和區工作之條件為何？ (A) (B) (C) (D) 。
33. 如下圖波形所示，其有效值電壓 Vrms=？ (A) (B)(C) (D)。
34. 如下圖電路所示，若二極體為理想二極體，則其 Vi－Vo 轉換特性曲線為下列何者？
(A) (B) (C)(D) 。
35. 設 hfe(mid)為中頻時 CE 放大器之電晶體的 hfe，而fβ為 hfe之－3dB 截止頻率，則電流增益 hfe隨信號頻率 f 變動之關係為下列何者？ (A)(B) (C) (D)。
36. 如下圖電路所示，為一個ＬＣ高頻弦波振盪電路之基本結構，而 Z1＝jX1、Z2＝jX2、Z3＝jX3為純電抗元件，產生振盪時下列敘述何者有誤？
(A)放大器之放大倍數的絕對值為 X1/X2(B)X1＋X2＋X3＝0 (C)振盪頻率可由X1＋X2＋X3＝0 求得 (D)X1與 X2 須為相同電抗元件，X3則為與 X1、X2相反之電抗元件 。
37. 如下圖電路所示，若 VBE=0.7V 且 RC2＜RC1，則此電路之上限觸發電壓VTU約為下列何者？

(A)0.7V (B)1.4V (C)3.2V (D)4.6V 。
38. 某功率電晶體其熱阻θJC=5℃/W、θCS=3℃/W、θSA=2℃/W，此功率電晶體之集極接合面所能承受的最高溫度為 200℃，若周圍溫度為 50℃，則此功率電晶體所能安全地散逸之功率為下列何者？ (A)1.5W (B)5W (C)10W(D)15W 。
39. 如下圖電路所示，電路 X 點與 Y 點對地的電位分別為 VX及 VY，則 VX為下列何者？
(A)1V (B)2V (C)3V (D)4V 。
40. 某一差動放大器，輸入之差動信號 Vd=V1－V2，V1及 V2為分別由二輸入端之信號，若此差動放大器之共模信號以 Vc 表示，則下列關係何者正確？ (A)V1=Vc－(Vd/2)、V2=Vc＋(Vd/2) (B)V1=(Vc/2)－Vd、V2=(Vc/2)＋Vd (C)V1=Vc＋(Vd/2)、V2=Vc－(Vd/2) (D)V1=(Vc/2)＋Vd、V2=(Vc/2)－Vd 。
41. 某二極體之材料常數η=1 其工作點電流為 ID，若 VT為其工作環境之溫度的伏特當量，則此二極體在工作點時的小信號交流阻抗ｒ為下列何者？(A)VT/ID(B)ID/VT(C)IDVT(D)ID+VT。
42. 史密特觸發電路做為比較器用時，當其磁滯電壓愈小時，下列敘述何者正確？ (A)動作時間愈不準且愈不昜受雜訊影響 (B)動作時間愈準且愈昜受雜訊影響 (C)動作時間愈準且愈不昜受雜訊影響 (D)動作時間愈不準且愈昜受雜訊影響 。
43. 儀器放大器優於一般差動放大器之處，為下列何者？ (A)輸入阻抗較低 (B)實務上改變增益時較不影響 CMRR (C)價格低 (D)電路較簡單 。
44. 如下圖電路，為下列何者？
(A)低通主動濾波器 (B)高通主動濾波器 (C)帶通主動濾波器 (D)帶拒主動濾波器 。
45. 下列何者不是電壓隨耦器之優點？ (A)Ri 很高、Ro 很低 (B)可減低前級之負載 (C)可增加後級之信號源內阻 (D)電流增益大於 1 。
46. 有一帶通濾波器，其最高增益之頻率為 15kHz，而其－3dB 頻寬為1kHz，則此濾波器之 Q 值為何？ (A)5 (B)10 (C)15 (D)20 。
47. 設 fA、fB分別為低通濾波 A 及高通濾波器 B 之截止頻率，將 A 與 B 串聯，則下列敘述何者正確？ (A)若 fB＞fA，且 A 在前 B 在後，可成帶通濾波 (B)若 fB＞fA，且 B 在前 A 在後，可成帶通濾波 (C)若 fA＞fB，則不論誰前誰後，可成帶通濾波 (D)若 fA＞fB，則不論誰前誰後，可成帶拒濾波 。
48. 三階巴特沃(Butterworth)低通濾波器在頻率高於臨界頻率時，其振幅對頻率的下降率為下列何者？ (A)－20dB／decade (B)－40dB／decade (C)－60dB／decade (D)－80dB／decade 。
49. 如下圖電路所示，OPA 未加回授前，輸出阻抗為 Zo，增益為 A，則 ZoL為何？
(A)Zo+[Rf．A／(1+A)] (B)Zo//[Rf．A／(1+A)] (C)Zo．Rf／Ri (D)Zo／A 。
複選題
50. 共集極放大器(CC)又稱射極隨耦器的特性，下列敘述哪些正確？ (A)高輸入阻抗，低輸出阻抗 (B)輸出與輸入訊號同相 (C)電流增益= (D)與其它類型電晶體放大器比較，電壓增益較大 。

申論題 (0)