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96年 - 96 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#40379

科目：半導體工程 | 年份：96年 | 選擇題數：0 | 申論題數：7

試卷資訊

所屬科目：半導體工程

選擇題 (0)

申論題 (7)

一、半導體製程中於晶圓上製作線路須對光阻曝光，請說明曝光之能量源有那些，並敘 述其優缺點。（24 分）
二、請說明並繪圖出晶圓之規格 TIR（Total indicated runout），TTV（Total thickness variation）與 FPD（Focal plane deviation）之定義。（24 分）
三、何謂 Lift-off 製程？於元件製作過程中，那一步驟須此製程？（12 分）
四、請說明晶圓先烘烤（prebake），光阻軟烤（soft-bake）與光阻硬烤（hard-bake）之功 能為何？（9 分）
五、請說明單晶之矽晶圓與砷化鎵晶圓有何不同？並說明此兩種材料之自然斷裂面分別 為那一平面？為何有此差異？（15 分）
六、何為軟性電子？薄膜電晶體與傳統電晶體有何差異？（8 分）
七、浸潤式曝光顯影與傳統曝光顯影有何差異？其主要用途為何？（8 分）