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半導體工程
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96年 - 96 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#40379
> 申論題
二、請說明並繪圖出晶圓之規格 TIR(Total indicated runout),TTV(Total thickness variation)與 FPD(Focal plane deviation)之定義。(24 分)
相關申論題
一、半導體製程中於晶圓上製作線路須對光阻曝光,請說明曝光之能量源有那些,並敘 述其優缺點。(24 分)
#124091
三、何謂 Lift-off 製程?於元件製作過程中,那一步驟須此製程?(12 分)
#124093
四、請說明晶圓先烘烤(prebake),光阻軟烤(soft-bake)與光阻硬烤(hard-bake)之功 能為何?(9 分)
#124094
五、請說明單晶之矽晶圓與砷化鎵晶圓有何不同?並說明此兩種材料之自然斷裂面分別 為那一平面?為何有此差異?(15 分)
#124095
六、何為軟性電子?薄膜電晶體與傳統電晶體有何差異?(8 分)
#124096
七、浸潤式曝光顯影與傳統曝光顯影有何差異?其主要用途為何?(8 分)
#124097
五、隨著技術節點持續微縮,曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降,至鰭式場效電晶體(FinFET)時代,如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。(20 分)
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應?並說明此方法可能導致的副作用。(12 分)
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體(MOSFET)的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。(8 分)
#560350
(二)請計算 t =0 秒時準費米能階相對於本質費米能階的能量差,並在能帶圖上標示出來。(10 分)
#560349
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