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96年 - 96 地方政府特種考試_五等_電子工程：電子學大意#49298

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意 | 年份：96年 | 選擇題數：40 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

選擇題 (40)

1 一般而言，相較於雙極性接面電晶體（bipolar junction transistor），金氧半場效電晶體（MOSFET） 之特性，下列敘述何者正確？ (A) 金氧半場效電晶體之輸入阻抗較高，增益較高 (B)金氧半場效電晶體之輸入阻抗較高，增益較低 (C)金氧半場效電晶體之輸入阻抗較低，增益較高 (D)金氧半場效電晶體之輸入阻抗較低，增益較低
2 n 通道空乏型 MOSFET 工作時閘極電壓為何？ (A) 僅為正電壓 (B)僅為負電壓 (C)可為正或負電壓 (D)必須接地
3 在一共射極 BJT 電晶體電路中，射極電流為 5mA，基極電流為 0.1mA，則電晶體之電流增益為？ (A) 39 (B) 49 (C) 59 (D) 69
4 若要實現一個好的電壓放大器之輸出級時，應採用那一種放大器組態？ (A)共射極（Common Emitter） (B)共集極（Common Collector） (C)共基極（Common Base） (D)共閘極（Common Gate）
5 如右圖所示之電路，其直流偏壓之基極電流為：
 (A) IB＝(VCC－0.7)/(RB＋RC) 
 (B) IB＝(VCC－0.7)/[βRB＋RC] 
 (C) IB＝(VCC－0.7)/[(1＋β)(RB＋RC)] 
 (D) IB＝(VCC－0.7)/[RB＋(1＋β)RC]
6 有關右圖退化的共源放大器（Common Source VDD RD amplifier with source degeneration）中 Rs 的作用，下列何者不是 Rs 所提供的功能？(A) Rs 增加放大器的電壓增益  (B) Rs 改善放大器的線性度  (C) Rs 提高放大器頻率響應的頻寬  (D) Rs 降低放大器內偏壓點因不同電晶體而產生的變異性
7 如右圖所示的電路方塊圖。若是理想振盪器，則其 必須符合的條件為何？（註：∣A(s)β(s)∣及 － ∠A(s)β(s)分別為 A(s)β(s)的大小及相角） 
 (A)∣A(s)β(s)∣＝1，∠A(s)β(s)＝90 度
 (B)∣A(s)β(s)∣＜1，∠A(s)β(s)＝0 度 
 (C)∣A(s)β(s)∣＝1 及∠A(s)β(s)＝0 度 
 (D)∣A(s)β(s)∣＝1 及∠A(s)β(s)＝180 度
8 如右圖所示的振盪器電路，其中虛線所標示之電 R2 路的主要功能為何？ (A)改變輸出信號電壓的振幅  (B)改變輸出信號的相位(C)改變輸出信號的責任週期（duty cycle）(D)改變輸出信號的電流
9 有關弦波振盪器的敘述，下列何者正確？ (A)必須為正回授 (B)迴路增益略小於 1 (C)具有穩定的交流電源供應 (D)是一種多諧振盪器
10 RC 相移振盪器最少必須使用幾組 RC 電路串聯才能完成？ (A)二 (B)三 (C)四 (D)五
11 下列有關右圖電路之敘述，何者正確？  (A) R2 增大則頻寬變大 (B) R1 增大則頻寬變大 (C) C2 變小則頻寬變大 (D) R1 增大則低頻增益變大
12 史密特（Schmitt）觸發電路的輸出波形為： (A)方波 (B)正弦波 (C)三角波 (D)鋸齒波
13 相對於單級放大器而言，對於串接放大器的增益與頻寬之敘述，下列何者正確？ (A)增益變大，頻寬變寬 (B)增益變大，頻寬變窄 (C)增益變小，頻寬變寬 (D)增益變小，頻寬變窄
14 如右圖，在 ωL 附近，增益∣A∣的下降是受何種 ∣A(ω) ∣ 因素的影響？  (A)耦合電容 (B)寄生電容 (C)電晶體的內部電容  (D)輸入阻抗太大
15 一單級放大器的低頻截止頻率為 1kHz，高頻截止頻率為 10kHz，若將兩個相同放大器串接後，則串 接系統的低頻截止頻率為： (A) 707Hz (B) 1kHz (C) 1.55 kHz (D) 7.07 kHz
16 所謂半功率點，是指電壓增益變化為中頻增益的若干倍？ (A) 0.5 倍 (B) 0.707 倍 (C)1倍 (D) 1.414 倍 
17 交換函數，經化簡後之最後結果為： (A)1 (B)a (C) a＋c (D) a＋b＋c
18 下列關於 CMOS 反相器電路之敘述，何者為非？ (A)在不考慮電晶體漏電下，靜態功率消耗為零 (B)暫態電流等於電容充放電電流 (C)輸入電壓為 0V 時，則輸出點電壓為由高降低 (D)靜態時，輸出電壓與元件大小無關
19 下列何種記憶體是屬於揮發性的記憶體（volatile memory）？ (A)靜態隨機存取記憶體（SRAM） (B)快閃記憶體（Flash Memory） (C)可程式唯讀記憶體（PROM） (D)唯讀記憶體（ROM） IC
20 如下圖一所示之放大器電路，已知雙載子接面電晶體參數 ，其直流等效電路如圖二所示，其中 VB 為：
21 如圖示電路，若 IB＝0，則下列關係何者正確？
22 雙極性接面電晶體中，ICEO 與 ICBO 之比值為： (A) αF (B) 1＋αF (C) βF (D) 1＋βF
23 若把正常的雙極性接面電晶體的射極和集極交換操作時，為何直流電流增益(β)會下降？ (A)基極變厚 (B)基極注入射極的電流增加 (C)功率消耗增加 (D)基板效應更嚴重
24 雙極性接面電晶體（BJT）作為放大訊號的主要機制是： (A)基極區的少數載子的擴散電流 (B)射極區的多數載子的漂移電流 (C)集極區的逆向偏壓 (D)基極區的載子復合作用
25 下列何種組態之電路具有很高的輸入阻抗及很低的輸出阻抗？ (A)共射極組態 (B)共集極組態 (C)共基極組態 (D)疊接（cascode）組態
26 如右圖所示的運算放大器應用電路，其輸出電壓，vo(t)＝？
27 右圖為利用一個實際運算放大器製做的電壓隨耦器， 當輸入 vI 為一步級函數時，其對應的輸出波形應為：
28 某兩級放大器，各級的功率增益分別為 100 倍及 10dB，若無負載效應則其總功率增益為： (A) 110dB (B) 50dB (C) 30dB (D) 12dB
29 有關達靈頓（Darlington）放大電路的敘述，下列何者正確？ (A)輸入阻抗高 (B)電壓增益高 (C)電流增益低 (D)只須使用一個電晶體
30 如右圖所示電路，輸出電壓 Vo＝？  (A)-3mV  (B) 3mV   (C)-23mV (D) 23mV
31 若要將右圖的運算放大電路，改成積分器， R2 則下列何者正確？  (A)將 R1 改用電容器  (B)將 R2 改用電容器 (C)將 R1、R2 均改用電容器 (D)將 R2 開路
32 迴轉率（Slew rate）為 15V/µ s 的運算放大器，若輸出電壓由零變化到 12V，需要多少時間？ (A) 2.5µ s (B) 1.25µ s (C) 0.8µ s (D) 0.4µ s
33 如圖所示運算放大器電路，若輸入電壓為 Vi＝1mV，則其輸出電壓 Vo 應為：  (A) 12mV (B)-12mV  (C) 8mV  (D)-8mV
34 X 及 Y 為兩個獨立的電壓放大器，其電壓增益分別為 A1 及 A2，輸入阻抗分別為 Ri1 及 Ri2，輸出阻 抗分別為 Ro1 及 Ro2，今將 X 的輸出端接至 Y 的輸入端，則連接後整體電路的輸出端開路電壓增益為： 
 (A) A1＋A2 (B) A1‧A2 (C)  (D) 
35 假設使用理想的電容，並將二極體（diode）視為一理想開關，今輸入交流信號 vi＝10×sin(ω‧t) V， 則二極體 D1 在電路中所承受瞬間最大逆向電壓（reverse peak voltage）最接近的電壓值為： (A) 5V (B) 10V (C) 15V (D) 20V
36 下列有關 pn 接面二極體在順向偏壓下之敘述，何者正確？ (A)空乏區（Depletion Region）寬度會增加 (B) P 型中的電子會跨過接面進入 N 型 (C)大量的電子會注入 P 型材料中 (D) PN 接面兩端之電壓為零
37 下列有關 PN 二極體之逆向飽和電流（reverse saturation current）的敘述，何者正確？ (A)逆向飽和電流的方向是由 P 型朝 N 型流動 (B)逆向飽和電流會隨溫度升高而減少 (C)逆向飽和電流是由少數載子（minority carrier）所構成 (D)逆向飽和電流甚大於順向電流
38 有一個二極體電路如圖 1 所示，輸入端電壓為 vi＝Vm‧sin(ω‧t)，Vm 為振幅值，今利用示波器顯示輸 入端與輸出端的電壓波形 vi(t)、vo(t)如圖 2 所示，其中 vi(t)的波形為虛線，vo(t)的波形為實線。則在 穩態中最接近二極體 D 導通週期開始的時間點為： (A) t1 (B) t2 (C) t3 (D) t4
39 半導體材料之導電率大小與下列何種因素無關？ (A)載子濃度 (B)溫度 (C)材質 (D)外部形狀
40 分析小信號等效電路時，為了得到電路對時變（time-varying）輸入信號的反應，須將直流電壓源設 定為： (A)無窮大 (B)零 (C)一半 (D)原值

申論題 (0)