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半導體元件
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96年 - 96 專利商標審查特種考試_三等_電子工程、光電工程：半導體元件#50536
> 申論題
二、⑴若由熱氧化法（Thermal Oxidation）成長二氧化矽（SiO2）之厚度為 100nm， 則矽消耗若干？
相關申論題
一、⑴試繪圖說明 N-MOS 在順向偏壓時的能帶結構圖。
#179480
⑵試繪圖說明 D-MOS（Double-Diffused MOS）之結構圖及其應用。 （20 分）
#179481
⑵試說明傳統的雙極性接面電晶體（BJT）與異質接面雙極性電晶體（HBT）之相 異處。 （20 分）
#179483
三、⑴試說明一面心立方晶體（Face-Center Cubic）之原子結構，並算出整個晶體空間 原子所佔的空間比例為多少？
#179484
⑵試說明半導體雷射二極體的發光原理。 （20 分）
#179485
四、⑴一矽二極體為單一側陡峭接面（One-Side Abrupt Junction），P、N 側之濃度各為 NA ＝1019cm–3 ，ND ＝1016cm–3 。試計算空乏層之厚度及在零偏壓下最大的電場 （矽的εr＝12，室溫下的本質濃度 ni＝1.45×1010/cm3）。
#179486
⑵試說明如何以四點探針法（Four-Point Probe）量測半導體特性。 （20 分）
#179487
五、⑴試說明如何得到白色光源的固態照明。
#179488
⑵試繪圖說明 pnp 電晶體的 I-V 特性曲線圖。 （20 分）
#179489
四、試證明n型非簡併（non-degenerate）半導體電子濃度分佈n(E)的最大值位於導帶最 低能位（Conduction-band minimum）Ec的上方kBT/2。（20 分）
#161762
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