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申論題

試卷：96年 - 96 專利商標審查特種考試_三等_電子工程、光電工程：半導體元件#50536
科目：半導體元件
年份：96年
排序：0

申論題資訊

試卷：96年 - 96 專利商標審查特種考試_三等_電子工程、光電工程：半導體元件#50536
科目：半導體元件
年份：96年
排序：0

申論題內容

二、⑴若由熱氧化法（Thermal Oxidation）成長二氧化矽（SiO2）之厚度為 100nm， 則矽消耗若干？