申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：96年 - 96 專利商標審查特種考試_三等_電子工程、光電工程：半導體元件#50536
科目：半導體元件
年份：96年
排序：0

四、⑴一矽二極體為單一側陡峭接面（One-Side Abrupt Junction），P、N 側之濃度各為 N_A ＝10¹⁹cm^–3 ，N_D ＝10¹⁶cm^–3 。試計算空乏層之厚度及在零偏壓下最大的電場（矽的ε_r＝12，室溫下的本質濃度 n_i＝1.45×10¹⁰/cm³）。