四、⑴一矽二極體為單一側陡峭接面（One-Side Abrupt Junction），P、N 側之濃度各為 NA ＝1019cm–3 ，ND ＝1016cm–3 。試計算空乏層之厚度及在零偏壓下最大的電場 （矽的εr＝12，室溫下的本質濃度 ni＝1.45×1010/cm3）。