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98年 - 98 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#40370

科目：半導體工程 | 年份：98年 | 選擇題數：0 | 申論題數：8

試卷資訊

所屬科目：半導體工程

選擇題 (0)

申論題 (8)

【已刪除】一、請在如下圖的直角座標系中，畫出（2 3 3）平面。（10 分） 
二、請說明何謂直接能隙（direct bandgap）？何謂間接能隙（indirect bandgap）？砷化 鎵是那一種能隙的材料？（10 分）
三、以強光照射一 n 型半導體晶片表面，請繪出從表面到晶片深處的能帶圖，包括導帶、 價帶、電子和電洞的準費米能階（quasi-Fermi level）。（15 分）
【已刪除】四、有一均勻摻雜的p型半導體薄片，長度（L）是 1 cm，寬度（w）是 0.1 cm，厚度 （t）是 10 µm，電流從左側平行流過。如果電洞濃度是 1×1015 cm-3，電洞遷移率是 500 cm2/V，請估算此薄片的電阻係數、片電阻、總電阻。（15 分）
五、請說明如何從順向偏壓的電流-電壓特性，計算金屬-半導體接面的蕭基位障（Schottky barrier）高度。（15 分）
六、請畫出Metali/SiO2/p-type Si在accumulation, depletion, inversion三種狀態的能帶圖。 （15 分）
七、一層厚度 100 nm 的矽薄膜，如果要用氧化的方式，將 Si 厚度減薄到 50 nm，請問 需要成長多厚的氧化層？（10 分）
八、繪圖說明何謂等向性蝕刻（isotropic etching）、非等向性蝕刻（anisotropic etching）？ 以HF和HNO3混合溶液蝕刻Si是屬於那一種？（10 分）