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半導體工程
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98年 - 98 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#40370
> 申論題
七、一層厚度 100 nm 的矽薄膜，如果要用氧化的方式，將 Si 厚度減薄到 50 nm，請問 需要成長多厚的氧化層？（10 分）
相關申論題
二、請說明何謂直接能隙（direct bandgap）？何謂間接能隙（indirect bandgap）？砷化 鎵是那一種能隙的材料？（10 分）
#124012
三、以強光照射一 n 型半導體晶片表面，請繪出從表面到晶片深處的能帶圖，包括導帶、 價帶、電子和電洞的準費米能階（quasi-Fermi level）。（15 分）
#124013
五、請說明如何從順向偏壓的電流-電壓特性，計算金屬-半導體接面的蕭基位障（Schottky barrier）高度。（15 分）
#124015
六、請畫出Metali/SiO2/p-type Si在accumulation, depletion, inversion三種狀態的能帶圖。 （15 分）
#124016
八、繪圖說明何謂等向性蝕刻（isotropic etching）、非等向性蝕刻（anisotropic etching）？ 以HF和HNO3混合溶液蝕刻Si是屬於那一種？（10 分）
#124018
五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降，至鰭式場效電晶體（FinFET）時代，如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。（20 分）
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應？並說明此方法可能導致的副作用。（12 分）
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體（MOSFET）的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。（8 分）
#560350
(二)請計算 t =0 秒時準費米能階相對於本質費米能階的能量差，並在能帶圖上標示出來。（10 分）
#560349
(一)在 t =0 秒時，多數載子和少數載子的濃度各為多少？（10 分）
#560348
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