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99年 - 99 普通考試_電力工程、電子工程、電信工程:電子學概要#46775
科目:
電子學 |
年份:
99年 |
選擇題數:
0 |
申論題數:
15
試卷資訊
所屬科目:
電子學
選擇題 (0)
申論題 (15)
一、請說明 N 型半導體與 P 型半導體放在一起形成 PN 接面,為何於接面處形成內建電 場,請說明之,並請繪圖標示電場方向。(10 分)
二、一電流放大器有輸入阻抗 100 Ω,輸出阻抗 100 kΩ,電流增益 10000,若電流源具 100 kΩ 電源電阻,且負載 100 Ω,求電壓增益與功率增益。(10 分)
三、若二極體為理想二極體,求圖⑴之 I 與 V。(8 分)
四、設電晶體β為無限大,求圖⑵所標示之I
1
,V
2
,I
3
,V
4
,I
5
,V
6
。(12 分)
⑴V
D
=0.5V,
⑵ V
D
=1V,
⑶V
D
=5V時電晶體工作在那一種模式?請說明之。(9 分)
六、設|vBZ| ≈ 0.7 V,α≈1,分析電路圖⑶之v
E
,v
C1
,v
C2
。(9 分)
七、某並串回授放大器如圖⑷所示,其中之電流放大器為一理想放大器。I
s
=100 µA, I
f
=90µA,I
o
=10mA。試求電流放大器之電流增益A及此回授放大器之回饋因子β, 並標示其單位。(12 分)
八、若一電晶體額定功率為 20 W,最大接面溫度J
j,max
=175 ℃,有一θ
case-snk
=1 ℃/W和θ
snk- amb
=5 ℃/W的散熱器加在電晶體上,試求電晶體最大安全消耗功率。(設外界溫度 為 25 ℃)(10 分)
⑴vI = φ = 5V,
⑵vI =3V,φ =5V,
⑶vI =4.2V,φ =5V,
⑷vI =5V,φ =3V。(12 分) vI vO a b CL φ 圖⑸
十、請繪出CMOS反相器之電路。若負載電容 2 pF,偏壓VDD ≈ 5V,頻率 100 kHz,求其 消耗功率。(8 分)