8下列有關「絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）」之特性敘述何者錯誤？
(A)具有雙極性接面電晶體（BJT）的輸出特性
(B)與金氧半場效電晶體（MOSFET）相同，為電壓控制電流源元件
(C)其三個端點的名稱分別為閘極、集極、射極
(D)相較於雙極性接面電晶體（BJT）而言，其切換速度較慢

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統計： A(4), B(4), C(7), D(19), E(0) #3118386

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#5869628

實際上，絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）的切換速度通常比雙極性接面電晶體（BJT）快。因為IGBT結合了金氧半場效電晶體（MOSFET）的高輸入阻抗和雙極性接面電晶體（BJT）的低導通電阻，所以具有較好的切換速度。

其他選項是正確的。IGBT具有雙極性接面電晶體的輸出特性（選項A），是一種電壓控制電流源元件（選項B），並且具有閘極、集極、和射極三個端點（選項C）。

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#5860233
絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）的切換速度通常介於金氧半場效電晶體（MOSFET）和雙極性接面電晶體（BJT）之間。換句話說，IGBT的切換速度並非總是慢於BJT。IGBT是BJT和MOSFET的混合元件，結合了MOSFET的高輸入阻抗（即電壓控制）和BJT的低導通電阻。

選項(A)「具有雙極性接面電晶體（BJT）的輸出特性」，選項(B)「與金氧半場效電晶體（MOSFET）相同，為電壓控制電流源元件」，以及選項(C)「其三個端點的名稱分別為閘極、集極、射極」這些描述都是正確的。
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私人筆記#7469183
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