12 關於 BJT 電晶體之敘述,下列何者正確?
(A)電晶體操作在飽和(saturation)區時之轉導值 (transconductance)較操作於順向主動區(forward active region)時為大
(B)電晶體操作在飽和區時之輸出阻抗61dba8ac7bfec.jpg較操作於順向主動區時為大
(C)操作於放大器模式時,基集極接面應避免順向偏壓
(D)電晶體操作在截止(cutoff)區時,基射極接面必為順向偏壓

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統計: A(14), B(14), C(66), D(4), E(0) #2851154

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#5317415
解釋選項(A) BJT具有三個操作區,...


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#5298346
轉導值gm = IC / VT    (...
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#5304079
工作區:β*IB = IC飽和區:β*I...
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#5303875
流向應該是跟NPN、PNP有關工作區跟飽...
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#5303835

飽和區時 Iᴄ 流動的方向是負的嗎?

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#5304001

連續提升IB值令使受控之IC到達一個最大的上限值,當此之時,續增IB已無法令IC再增其值

https://sites.google.com/a/fjsh.cy.edu.tw/ski/4-zhi-shi-bai-ke/dianjingtidesanzhonggongzuomoshi


Ic不會在增加?

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私人筆記 (共 2 筆)

私人筆記#5705966
未解鎖
初等/五等/佐級◆電子學大意&nb...


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私人筆記#7487375
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