2.下列有關PN接面二極體的敘述，何者有誤？　
(A)矽二極體的障壁電壓(barrier potential)較鍺二極體高　
(B)二極體加順向偏壓後，空乏區變窄　
(C)溫度上升時，障壁電壓上升　
(D)溫度上升時，漏電流上升。

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統計： A(1), B(0), C(4), D(1), E(0) #821481