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初等/五等/佐級◆電子學大意
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111年 - 111 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#108515
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23 如圖所示為一放大器小訊號模型,其輸出電壓
為何?
(A)
(B)
(C)
(D)
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統計:
A(51), B(7), C(11), D(1), E(0) #2937800
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/11/10
私人筆記#7551590
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1 爾利效應(Early Effect)對雙極性接面電晶體(BJT)的何種特性有顯著影響? (A)輸出阻抗 (B)輸入阻抗 (C)溫度係數 (D)射基極接面導通電壓
#2937778
2 某增強型 NMOS 場效電晶體的 = 1 V 、 (W / L) = 25 μA/V2 ,今若其源極(Source)電壓 0.5 V,汲極(Drain)電壓 1.5 V,閘極(Gate)電壓 1.0 V,則此電晶體工作在: (A)飽和區(Saturation Region) (B)截止區(Cutoff Region) (C)三極體區(Triode Region) (D)主動區(Active Region)
#2937779
3 有一電壓訊號 v(t ) = [sin(2000π t ) + sin(6000π t ) + sin(10000π t ) ]此訊號的週期 T 為何? (A) T < 0.9 ms (B) 0.9 ms < T < 1.5 ms (C) 1.5 ms < T < 17 ms (D) T > 17 ms
#2937780
4 二極體的電流可以指數模型 = exp( ) 來表示,其中 為飽和電流,在室溫之下 = 0.025 V 。 若電壓 = 0.7 V 時電流 = 1 mA ,試求二極體的小信號增量電阻(incremental resistance)。 (A) 25 Ω (B) 50 Ω (C) 250 Ω (D) 700 Ω
#2937781
5 對於 n-通道增強型單一 MOSFET,下列敘述何者錯誤? (A)汲極為 n 型半導體 (B)源極為 n 型半導體 (C)本體(body)為 n 型半導體 (D)通道傳導的載子為電子
#2937782
6 如圖為雙極性差動式放大器含射極電阻 ,已知電晶體 Q1 和 Q2 的基極內電阻 、射極內電阻 、 轉導 ,共基極電流增益 α 和共射極電流增益 β ( β >> 1) 等參數均相同,試求差動增益 之值? (A) (B) (C) (D)
#2937783
7 在金氧半場效電晶體(MOSFET)中,已知轉導 、爾利電壓(Early voltage) 、汲極電流 和 輸出阻抗 等的參數,下列關係何者正確? (A) (B) (C) (D)
#2937784
8 厚度為 1 密爾(mil)之矽晶片,若均勻摻以濃度為 的磷原子,及濃度為 的硼原子,則其片電阻(sheet resistance)約為何?(設電子移動率為 1300 cm2/Vs,1 密爾 = 25.4 μm) (A) 1040 Ω/□ (B) 640 Ω/□ (C) 240 Ω/□ (D) 40 Ω/□
#2937785
9 在二極體的反向偏壓電流(reverse bias current)中,流入空乏區(depletion region)之載子主要來自 下列那一種組合? (A) n 型區的電子與 p 型區的電洞 (B) n 型區的電洞與 p 型區的電子 (C) p 型區的電子與 n 型區的電子 (D) p 型區的電洞與 n 型區的電洞
#2937786
10 有一共源極放大器(common source amplifier),其增益為 A = -20 ,且 = 50 fF , = 10 fF ,則 其輸入電容(input capacitance)應為多少 fF? (A) 1030 (B) 520 (C) 260 (D) 110
#2937787
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