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試題詳解

試卷:112年 - 112 初等考試_電子工程:電子學大意#112891 | 科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱:112年 - 112 初等考試_電子工程:電子學大意#112891

年份:112年

科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

26 如圖所示電路,已知空乏型 MOSFET 的 IDSS = 1 mA 、 VGS(TH) = -4 V ,若閘極電流 IG 可忽略不計,汲 極電流與汲-源極電壓( ID , VDS )值為何?

(A)(1.5 mA,9 V)
(B)(2.25 mA,7.5 V)
(C)(3 mA,6 V)
(D)(3.5 mA,5 V)

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私人筆記 (共 1 筆)

私人筆記#5705805
未解鎖
  初等/五等/佐級◆電子學大意#371...

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