阿摩線上測驗
登入
首頁
>
統測◆(一)電子學、基本電學
>
98年 - 98 二技統測_電機類、電子類_專業科目(一):電子學與電路學#18987
> 試題詳解
29.a 承第 28 題,求電容器兩端電壓為 v
C
(t1 ) = 5 e
-0.5
V 的時間 t1 =?
(A) 4.5 秒
(B) 0.89 秒
(C) 0.28 秒
(D) 0.056 秒 的
答案:
登入後查看
統計:
A(89), B(12), C(16), D(9), E(0) #713317
詳解 (共 1 筆)
Jhong
B1 · 2017/07/05
#2316421
R*C=9s5 e^-t/9-t/9=...
(共 32 字,隱藏中)
前往觀看
11
0
相關試題
1. 在矽晶體結構中,摻雜哪一雜質才能成為 N 型半導體? (A) 鎵 (B) 砷 (C) 鍺 (D) 硼 的
#713289
2. 橋式整流器需要用到幾顆二極體? (A) 1 顆 (B) 2 顆 (C) 3 顆 (D) 4 顆 的
#713290
3. 下列何者不屬於BJT 正常操作的區域? (A) 作用區 (B) 截止區 (C) 飽和區 (D) 崩潰區 的
#713291
4. 如圖(一)所示電路,Q1是哪一類型的 MOSFET? (A) N 通道空乏型 (B) P 通道空乏型 (C) N 通道增強型 (D) P 通道增強型
#713292
5. 有關電晶體的敘述,下列選項何者錯誤? (A) MOSFET 的優點為低頻輸入阻抗極高 (B) MOSFET 最常使用於超大型積體電路製作 (C) BJT 工作在飽和區,其 BE 接面與 BC 接面皆為順向偏壓 (D) BJT 的射極與集極可對調使用 的
#713293
6. 如圖(二)所示電路,VBE(sat) = 0.8 V 及 VCE(sat) = 0.2 V,下列選項何者正確? (A) RB = 18.4 kΩ、RC = 186.6 Ω (B) RB = 30.6 kΩ、RC = 104.3 Ω (C) RB = 45.4 kΩ、RC = 57.5 Ω (D) RB = 68.2 kΩ、RC = 28.7 Ω
#713294
7. 如圖(三)所示電路,電壓增益Vo/ Vi =? (A) –10 (B) 10 (C) –50 (D) 50
#713295
8. MOSFET 源極隨耦器的主要作用為何? (A) 增加電壓增益 (B) 降低電流增益 (C) 降低輸出電阻 (D) 增加輸入電阻 的
#713296
9. 達靈頓( Darlington )電路具有下列何種優點? (A) 低輸入電阻及大電流增益 (B) 低輸入電阻及大電壓增益 (C) 高輸入電阻及小電流增益 (D) 高輸入電阻及大電流增益 的
#713297
10.a 如圖(四)所示電路,二極體順向導通電壓為 0.7V,則 Io =? (A) 0 mA (B) 2.1 mA (C) 4.2 mA (D) 5 mA
#713298
相關試卷
114年 - 114 關務特種考試_四等_電機工程(選試英文):基本電學#126651
2025 年 · #126651
113年 - 113 關務特種考試_四等_電機工程(選試英文)、電機工程(選試日文):基本電學#119481
2024 年 · #119481
112年 - 112 地方政府特種考試_四等_電力工程、電子工程、電信工程:基本電學#118330
2023 年 · #118330
112年 - 112 普通考試_電力工程、電子工程、電信工程:基本電學#115756
2023 年 · #115756
112年 - 112 關務特種考試_四等_電機工程:基本電學#113949
2023 年 · #113949
111年 - 111 地方政府特種考試_四等_電力工程、電子工程、電信工程:基本電學#112594
2022 年 · #112594
111年 - 111 中華郵政股份有限公司_職階人員資產營運及工程類科甄試試題_專業職(一)/電力工程:基本電學#111525
2022 年 · #111525
111年 - 111 普通考試_電力工程、電子工程、電信工程:基本電學#109349
2022 年 · #109349
111年 - 111 關務特種考試_四等_電機工程:基本電學#107497
2022 年 · #107497
111年 - 111 身心障礙特種考試_四等_電子工程:基本電學#107486
2022 年 · #107486