35在N-通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET）的小信號等效電路中，其互導（transconductance）gm 與其閘極之寬長比（W/L）及閘極－源極電壓差VGS之關係，下列何者正確？
(A)gm 會隨（W/L）的增加而增加，並隨VGS的增加而增加
(B)gm 會隨（W/L）的增加而增加，並隨VGS的增加而減少
(C)gm 會隨（W/L）的增加而減少，並隨VGS的增加而增加
(D)gm 會隨（W/L）的增加而減少，並隨VGS的增加而減少

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統計： A(58), B(5), C(5), D(0), E(0) #1109661

hchungw

B1 · 2023/08/17

#5913622

在金氧半場效電晶體 (MOSFET) 的小信號等效電路中，互導（transconductance） gm 描述的是電晶體閘極電壓變化對汲極電流的影響。簡單來說，當你改變閘極電壓一個很小的數值，互導描述的是這個小變化如何影響汲極電流的變化。

與 W/L 的關系：
- 當電晶體的寬長比 W/L 變大，其 gm 也會增加。這意味著，對於相同的閘極電壓變化，更寬的電晶體可以產生更大的汲極電流變化。
- 從設計的角度看，這意味著你可以通過調整 W/L 來改變電晶體的增益。對於需要高增益的應用，你可能會選擇一個更大的 W/L 比例。
與閘極－源極電壓差的關系：
- gm 也隨著 ℎVGS−Vth 的增加而增加，其中 ℎVth 是臨界電壓。這意味著在較高的 VGS 下，對於相同的閘極電壓小變化，你可以得到更大的汲極電流變化。
- 在電路設計中，這意味著電晶體工作在不同的操作點（即不同的 VGS 值）會有不同的 gm 值，因此會有不同的增益。