4. N 通道加強型 MOSFET 的閘-源電壓 V_GS 應如何才能使電晶體操作在夾止飽和區？
(A) V_GS＞V_GS(t)，V_GD≧V_GS(t)
(B) V_GS＞V_GS(t)，V_GD≦V_GS(t)
(C) V_GS＜V_GS(t)，V_GD≦V_GS(t)
(D) V_GS＜V_GS(t)，V_GD≧V_GS(t)

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