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1計算機概論和2電子學
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103年 - 103 中華電信股份有限公司所屬機構從業人員(基層專員)遴選_資訊類專業職(四)第一類專員:電子學(重複)#64075
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試題詳解
試卷:
103年 - 103 中華電信股份有限公司所屬機構從業人員(基層專員)遴選_資訊類專業職(四)第一類專員:電子學(重複)#64075 |
科目:
1計算機概論和2電子學
試卷資訊
試卷名稱:
103年 - 103 中華電信股份有限公司所屬機構從業人員(基層專員)遴選_資訊類專業職(四)第一類專員:電子學(重複)#64075
年份:
103年
科目:
1計算機概論和2電子學
51.一增強型(enhancement type) NMOSFET 的臨界電壓(threshold voltage) V
T
= 1 V,且在 V
GS
= 4 V 時的飽和 汲極電流為 9 mA,則 V
GS
= 3 V 時的 I
D
為何?
(A) 0 mA
(B) 4 mA
(C) 9 mA
(D) 16 mA
正確答案:
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詳解 (共 1 筆)
李哲政
B1 · 2020/10/06
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未解鎖
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