試卷名稱：115年 - 115 初等考試_電子工程：電子學大意#136710
年份：115年
科目：初等/五等/佐級◆電子學大意
8 以增強型 N 通道 MOSFET 作為開關之敘述，下列何者錯誤？(A)夾止飽和區作為開關 ON 的主要特性區域 (B)截止區作為開關 OFF 的主要特性區域 (C)以閘極電壓 VGS 控制開關 ON 和 OFF (D)閘極電壓值 VGS 會影響汲極和源極間等效電阻值 RDS 的大小
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