8 有關金氧半場效電晶體（MOSFET）的通道寬窄主要由下列何者壓降來控制？
(A)射極對基底
(B)汲極對基底
(C)閘極對源極
(D)源極對基底

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統計： A(2), B(2), C(34), D(4), E(0) #3190226

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#6999364
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