8. 如圖1-5所示電路，若MOSFET的臨界電壓(threshold voltage) \( V_T = 2V \)，且其參數 \( K = 0.5mA/V^2 \)。欲設計使其工作在 \( V_{DS} = 4V \)，則 \( R_D \) 的值應為何？

(A)\( 2k\Omega \)
(B)\( 4k\Omega \)
(C)\( 6k\Omega \)
(D)\( 8k\Omega \)

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