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申論題資訊

試卷:111年 - 111 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#108533
科目:半導體工程
年份:111年
排序:0

題組內容

二、如圖使用厚度 t = 500 μm、寬度 w = 800 μm 的矽材料長方體進行霍爾效 應(Hall effect)量測,通過的電流 I = 1.6 mA,施加磁場 B = 2 Tesla, 此時量得的霍爾電壓 VH = −2.5 mV。
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申論題內容

(一)請計算半導體的主要導電載子濃度。(10 分)

詳解 (共 1 筆)

詳解 提供者:電子荔枝

個人見解,不確定是否正確。

霍爾效應

F = q( E+ v×B) = 0

VH= Et = vBt

            v = J/qn = I/qnWt

VH = IB/qnW

n  = IB/qVH≒ 7.96x1024 (m-37.96x1018 (cm-3)

 

q = - 1.602x10-19 (J)

(Tesla) = (J/Am2)

m-3 = 100-3 cm-3