申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：111年 - 111 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#108533
科目：半導體工程
年份：111年
排序：0

二、如圖使用厚度 t = 500 μm、寬度 w = 800 μm 的矽材料長方體進行霍爾效應（Hall effect）量測，通過的電流 I = 1.6 mA，施加磁場 B = 2 Tesla，此時量得的霍爾電壓 V_H = −2.5 mV。

(二)若材料的電阻率是 0.52 Ω-cm，請計算載子的遷移率值。（10 分）

詳解提供者：電子荔枝

個人見解，不確定是否正確。

遷移率

μ = v /E

μ = (I/qnWt) / (V_H/t) ≒ 6.25 (cm²V^-1s^-1)

為什麼我沒用到電阻率？