申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：101年 - 101 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#39534
科目：半導體工程
年份：101年
排序：0

題組內容

二、下圖是砷化鎵的能帶結構圖。

申論題內容

⑴請說明 n 型砷化鎵為何會顯現負微分遷移率（negative differential mobility）。（9 分）