三、在T 「300 K 下，一個 n 型矽半導體中，施體濃度為 N d= 1017 cm-3 ，本質 載子濃度為 ni= 1.5 ✖ 1010 cm -3 。若在 t= 0 秒時產生1016 cm -3 的過量載子， 請回答下列問題：
(二)請計算 t =0 秒時準費米能階相對於本質費米能階的能量差，並在能帶圖上標示出來。（10 分）
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