題組內容
五、有一均勻摻雜之矽半導體 pn 接面，若溫度 T = 300 K，且其相關參數如下： 電子擴散係數 Dn = 25 cm2 /s、電洞擴散係數 Dp = 10 cm2 /s、相同之施 體與受體摻雜濃度 NA = ND =1016 cm-3、相同之電子與電洞生命週期 τpo=τno= 5 × 10-7 s、本質載子濃度ni= 1.5 × 1010 cm-3、單位電量q= 1.6 × 10-19C、 波茲曼常數（Boltzmann’s constant）k = 8.62 × 10-5 eV/K。試求：
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