題組內容
六、有一 n-型通道金屬-氧化物-半導體場效電晶體（MOSFET），其閘極寬度 W = 15 μm、閘極長度 L = 2 μm、閘極氧化層電容 Cox = 6.9 × 10-8 F/cm2。 假設此電晶體操作於汲-源極電壓為 VDS = 0.1 V 之非飽和區（nonsaturation region），已知於閘-源極電壓為 VGS = 1.5 V 時、其汲極電流 ID = 35 μA，另於閘-源極電壓為 VGS = 2.5 V 時、其汲極電流 ID = 75 μA。 試求此 MOSFET 之：
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